IC Phoenix logo

Home ›  K  › K3 > K8D6316UBM-TI07

K8D6316UBM-TI07 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K8D6316UBM-TI07

Manufacturer: SAMSUNG

64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K8D6316UBM-TI07,K8D6316UBMTI07 SAMSUNG 2144 In Stock

Description and Introduction

64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory **Part Number:** K8D6316UBM-TI07  
**Manufacturer:** SAMSUNG  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed Grade:** TI07 (specific speed rating may vary; check datasheet for exact timing)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) – verify exact variant  

### **Descriptions & Features:**  
- Low-power, high-performance DDR2 memory chip  
- Bidirectional data strobe (DQS) for precise data capture  
- On-Die Termination (ODT) for signal integrity  
- Programmable CAS Latency (3, 4, 5)  
- Auto Refresh and Self Refresh modes  
- 4 internal banks for concurrent operations  
- RoHS compliant  

For exact timing, pinout, and application details, refer to the official SAMSUNG datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory # Technical Documentation: K8D6316UBMTI07 Memory Module

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : DDR SDRAM Memory Module  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023  

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases

The K8D6316UBMTI07 is a 512MB DDR-333 (PC-2700) registered ECC SDRAM module designed for enterprise and server applications requiring high reliability and data integrity. This 184-pin DIMM operates at 2.5V with a 333MHz clock frequency, providing a peak bandwidth of 2.7GB/s.

 Primary Applications Include: 
-  Server Main Memory : Deployed in rack-mounted and blade servers where continuous operation and data integrity are critical
-  Workstation Systems : Used in engineering workstations, financial modeling systems, and scientific computing platforms
-  Network Infrastructure : Applied in routers, switches, and telecommunications equipment requiring stable memory operation
-  Storage Systems : Utilized in RAID controllers and NAS/SAN devices for cache and buffer memory

### 1.2 Industry Applications

 Data Centers :  
The module's ECC (Error Correcting Code) capability makes it ideal for data center environments where minimizing data corruption is paramount. Registered design reduces electrical load on the memory controller, enabling higher memory capacities per channel.

 Telecommunications :  
In telecom switching equipment, the module provides reliable operation in 24/7 environments with minimal downtime requirements. The thermal characteristics support operation in controlled temperature environments typical of telecom cabinets.

 Industrial Computing :  
Manufacturing control systems and industrial PCs benefit from the module's extended temperature tolerance and reliability features, though environmental hardening may be required for extreme conditions.

 Financial Services :  
Trading platforms and transaction processing systems utilize these modules for their error correction capabilities, ensuring financial data integrity during high-frequency operations.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Error Correction : Single-bit error correction and double-bit error detection enhance system reliability
-  Signal Integrity : Registered buffers improve signal quality in high-density memory configurations
-  Compatibility : Standard DDR interface ensures broad compatibility with server chipsets
-  Thermal Management : Standard JEDEC thermal specifications support adequate cooling in server environments

 Limitations: 
-  Performance : DDR-333 is considered legacy technology with limited bandwidth compared to modern DDR4/DDR5
-  Power Efficiency : 2.5V operation is less efficient than newer memory technologies
-  Availability : As an older technology, availability may be limited to specialty suppliers
-  Capacity Constraints : Maximum module density is limited compared to contemporary technologies

---

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Incorrect Voltage Application   
*Problem*: Applying voltages outside the 2.5V±0.2V range can cause permanent damage or unreliable operation.  
*Solution*: Implement precise voltage regulation with monitoring circuits. Include over-voltage protection on memory power rails.

 Pitfall 2: Improper Timing Configuration   
*Problem*: BIOS/UEFI settings not matching module specifications (CL=2.5, tRCD=3, tRP=3, tRAS=7 at 333MHz).  
*Solution*: Implement SPD (Serial Presence Detect) auto-configuration or ensure manual settings match datasheet specifications.

 Pitfall 3: Thermal Management Issues   
*Problem*: Inadequate airflow in high-density server configurations leading to thermal throttling or failure.  
*Solution*: Maintain ambient temperature below 85°C with minimum airflow of 1.5m/s across module surface.

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 Memory Controller Compatibility :  
- Requires

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips