IC Phoenix logo

Home ›  K  › K3 > K7N803649B-QC25

K7N803649B-QC25 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K7N803649B-QC25

Manufacturer: SAMSUNG

256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K7N803649B-QC25,K7N803649BQC25 SAMSUNG 11 In Stock

Description and Introduction

256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM Here are the factual details about part **K7N803649B-QC25** from the manufacturer **SAMSUNG**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K7N803649B-QC25  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed Grade:** QC25 (250MHz clock frequency)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II (400mil)  
- **Refresh Cycles:** 4096 (64ms)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low Power Consumption:** Operates at 2.5V with auto and self-refresh options.  
- **Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, and full-page burst modes.  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3).  
- **Auto Precharge:** Supports controlled precharge for efficient operation.  
- **Double Data Rate (DDR):** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **On-Die Termination (ODT):** Reduces signal reflection for improved signal integrity.  
- **Applications:** Used in networking, telecommunications, and embedded systems.  

This information is based on Samsung's official datasheet for the **K7N803649B-QC25** DDR SDRAM module.

Application Scenarios & Design Considerations

256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM # Technical Documentation: K7N803649BQC25 Memory Module

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : DDR4 SDRAM Module  
 Part Number : K7N803649BQC25  
 Document Version : 1.0  
 Date : October 2023  

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K7N803649BQC25 is a 8Gb (Gigabit) DDR4 SDRAM component designed for high-performance computing applications. Typical use cases include:

-  Main Memory in Computing Systems : Primary system memory in desktops, workstations, and servers requiring 8GB modules (when configured with 8 chips per rank)
-  Buffer Memory : Cache and buffer applications in storage controllers and network equipment
-  Embedded Systems : Memory for industrial PCs, medical imaging systems, and telecommunications infrastructure
-  Graphics Memory Support : Supplemental memory in integrated graphics configurations (when shared with system memory)

### 1.2 Industry Applications

#### 1.2.1 Data Center and Server Infrastructure
-  Cloud Computing Platforms : Virtualization hosts requiring high-density memory configurations
-  Database Servers : In-memory database systems (e.g., SAP HANA, Redis) benefiting from DDR4's improved bandwidth
-  High-Performance Computing (HPC) : Scientific computing and simulation workloads requiring consistent memory performance

#### 1.2.2 Enterprise and Workstation Systems
-  CAD/CAM Workstations : Engineering design systems requiring large, fast memory for 3D modeling
-  Financial Analytics : Real-time trading systems and risk analysis platforms
-  Video Production : Non-linear editing systems and rendering farms

#### 1.2.3 Embedded and Industrial Applications
-  Network Equipment : Routers, switches, and firewalls requiring reliable, temperature-tolerant memory
-  Medical Imaging : MRI, CT, and ultrasound systems processing large datasets
-  Industrial Automation : PLCs and control systems in manufacturing environments

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  Improved Power Efficiency : 1.2V operating voltage (compared to DDR3's 1.5V) reduces power consumption by approximately 20%
-  Higher Bandwidth : Data rates up to 3200 MT/s provide significant performance improvements over previous generations
-  Enhanced Reliability : On-die ECC (Error Correction Code) for single-bit error correction
-  Increased Density : 8Gb die density enables higher capacity modules in smaller form factors
-  Better Signal Integrity : POD (Pseudo Open Drain) signaling improves noise margin

#### Limitations:
-  Compatibility Constraints : Not backward compatible with DDR3/DDR2 slots due to different pin counts (288-pin vs. 240-pin) and voltages
-  Cost Premium : Typically 10-15% higher cost per GB compared to DDR3 at equivalent capacities
-  Thermal Considerations : Higher data rates may require active cooling in densely packed server configurations
-  Platform Requirements : Requires compatible DDR4 memory controllers (Intel X99/Z170 or newer, AMD Ryzen platforms)

---

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

#### Pitfall 1: Improper Termination
 Issue : Signal reflections due to incorrect termination values  
 Solution : 
- Use 40Ω ±1% termination resistors on DQ and DQS lines
- Implement ODT (On-Die Termination) with values programmed according to JEDEC specifications
- Verify termination during signal integrity simulations

#### Pitfall 2: Power Integrity Problems
 Issue : Voltage droop causing timing violations  
 Solution :
- Implement dedicated power planes for VDD (1.2V) and VPP (2.5V)
- Use low-ESR capacitors: 10-

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips