IC Phoenix logo

Home ›  K  › K3 > K6X4008T1F-GB70

K6X4008T1F-GB70 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6X4008T1F-GB70

Manufacturer: SAMSUNG

512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6X4008T1F-GB70,K6X4008T1FGB70 SAMSUNG 2148 In Stock

Description and Introduction

512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The K6X4008T1F-GB70 is a memory component manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6X4008T1F-GB70  
- **Type:** DDR4 SDRAM  
- **Density:** 4Gb (512MB)  
- **Organization:** 512M x 8  
- **Speed:** 2400 Mbps (DDR4-2400)  
- **Voltage:** 1.2V  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 95°C) or Industrial (-40°C to 95°C), depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.2V, reducing power usage compared to older DDR3.  
- **High-Speed Performance:** Supports data rates up to 2400 Mbps.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity and reduces noise.  
- **Bank Architecture:** 16 banks for efficient data access.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Optimized for performance tuning.  
- **Error Detection:** Supports CRC (Cyclic Redundancy Check) for data integrity.  
- **FBGA Packaging:** Compact form factor suitable for space-constrained applications.  

This information is based on Samsung's DDR4 memory product documentation. For exact details, refer to the official datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6X4008T1FGB70 DDR SDRAM

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : 512Mb DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)  
 Package : FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
 Configuration : 8M words × 8 banks × 8 bits

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The K6X4008T1FGB70 is a 512Mb DDR SDRAM component optimized for applications requiring moderate memory bandwidth with efficient power consumption. Its primary use cases include:

*    Embedded Computing Systems : Serving as main memory in single-board computers (SBCs), industrial PCs, and embedded controllers where reliability and consistent performance are critical.
*    Networking Equipment : Used in routers, switches, and firewalls for packet buffering, lookup tables, and data queuing, benefiting from its synchronous operation for predictable timing.
*    Consumer Electronics : Found in set-top boxes, digital televisions, and mid-range printers, where it handles GUI framebuffers, application data, and multimedia processing.
*    Automotive Infotainment & Telematics : Supports systems requiring volatile memory for navigation, media playback, and connectivity features, operating within specified temperature grades.

### Industry Applications
*    Industrial Automation : PLCs (Programmable Logic Controllers) and HMI (Human-Machine Interface) panels utilize this memory for program execution and data logging.
*    Medical Devices : Diagnostic equipment and patient monitoring systems employ it for temporary data storage during real-time processing.
*    Communications Infrastructure : Baseband units and network interface cards leverage its bandwidth for signal processing tasks.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Cost-Effectiveness : Offers a balance of density and performance at a competitive price point for volume production.
*    Proven Technology : DDR1 architecture is mature, with well-understood design rules and robust manufacturing processes.
*    Moderate Performance : With a 400 Mbps/pin data rate (DDR-400), it provides sufficient bandwidth for many embedded and industrial applications without the complexity of later DDR generations.
*    Standard Interface : Utilizes the JEDEC-standard DDR SDRAM interface, simplifying controller design and verification.

 Limitations: 
*    Bandwidth Constraint : Compared to DDR2, DDR3, or DDR4, its maximum data rate and available densities are lower, making it unsuitable for high-performance computing.
*    Power Efficiency : Operates at a higher core voltage (2.5V ±0.2V) and I/O voltage (2.5V/1.8V SSTL_2) than newer generations, leading to higher power consumption.
*    Legacy Status : As an older generation part, long-term availability may become a concern for new designs, necessitating a migration plan.
*    Signal Integrity Sensitivity : The DDR interface requires careful PCB design to maintain signal integrity, especially at higher clock frequencies within its range.

---

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
1.   Incorrect Termination :
    *    Pitfall : Omitting or improperly valuing termination resistors for DQ, DQS, and address/command lines, causing signal reflections and data errors.
    *    Solution : Implement precise parallel (VTT) termination as per JEDEC specifications. Use a dedicated VTT regulator and place termination resistors close to the DRAM package.

2.   Power Sequencing Violation :
    *    Pitfall : Applying I/O voltage (VDDQ) before core voltage (VDD) or vice-versa, potentially damaging the device.
    *    Solution : Adhere strictly to the manufacturer's recommended power-up sequence (typically

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips