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K6X4008C1F-MB55 from SAMSUNG

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K6X4008C1F-MB55

Manufacturer: SAMSUNG

512Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6X4008C1F-MB55,K6X4008C1FMB55 SAMSUNG 15000 In Stock

Description and Introduction

512Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM The part **K6X4008C1F-MB55** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6X4008C1F-MB55  
- **Memory Type:** DDR4 SDRAM  
- **Density:** 4Gb (512MB)  
- **Organization:** 512M x 8  
- **Speed:** 2400 Mbps (DDR4-2400)  
- **Voltage:** 1.2V  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy efficiency with 1.2V operation.  
- **High-Speed Performance:** Supports data rates up to 2400 Mbps.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity.  
- **Auto Refresh & Self-Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Configurable for optimized performance.  
- **Error Detection:** Optional ECC (Error Correction Code) support in some variants.  
- **Wide Compatibility:** Used in various computing and embedded systems.  

This information is based strictly on manufacturer documentation and industry-standard specifications. No additional recommendations or interpretations are included.

Application Scenarios & Design Considerations

512Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6X4008C1FMB55 Memory Component

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
 Part Number : K6X4008C1FMB55  

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## 1. Application Scenarios (45% of Content)

### Typical Use Cases
The K6X4008C1FMB55 is a 512Mb DDR SDRAM organized as 8M words × 16 bits × 4 banks, operating at 400MHz (DDR400). This component is designed for applications requiring moderate-speed data transfer with balanced power consumption and cost considerations.

 Primary applications include: 
-  Embedded Systems : Industrial controllers, automation equipment, and IoT gateways where reliable data buffering is essential
-  Consumer Electronics : Set-top boxes, digital televisions, and mid-range networking equipment
-  Communication Devices : Routers, switches, and baseband processing units requiring temporary data storage
-  Automotive Infotainment : Secondary memory for display buffers and intermediate processing in vehicle multimedia systems

### Industry Applications
-  Industrial Automation : PLCs (Programmable Logic Controllers) and HMI (Human-Machine Interface) panels utilize this memory for program storage and runtime data
-  Telecommunications : Network interface cards and optical line terminals employ DDR400 memories for packet buffering
-  Medical Devices : Patient monitoring equipment and diagnostic instruments use this memory for temporary waveform and image storage
-  Aerospace/Defense : Non-critical subsystems in avionics where commercial-grade components are acceptable

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Cost-Effective : Lower price point compared to newer DDR generations while providing adequate performance for many applications
-  Power Efficiency : Operating voltage of 2.5V (VDD) and 2.5V (VDDQ) with auto-refresh and self-refresh modes for power-sensitive designs
-  Proven Reliability : Mature technology with extensive field history and known failure modes
-  Thermal Performance : Standard operating temperature range (0°C to 70°C) with commercial-grade thermal characteristics

 Limitations: 
-  Bandwidth Constraints : Maximum data rate of 800Mbps per pin (400MHz clock) limits high-speed applications
-  Density Limitations : 512Mb capacity may be insufficient for data-intensive applications
-  Legacy Interface : Requires termination resistors and careful impedance matching that newer memories integrate internally
-  Supply Voltage : 2.5V operation may require additional voltage regulation in modern 3.3V or 1.8V systems

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## 2. Design Considerations (35% of Content)

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Signal Integrity Degradation 
-  Problem : Ringing and overshoot on data lines due to improper termination
-  Solution : Implement series termination resistors (22-33Ω) close to the driver and parallel termination at the end of the bus

 Pitfall 2: Timing Violations 
-  Problem : Setup/hold time violations causing random read/write errors
-  Solution : 
  - Maintain clock skew within ±50ps across all memory devices
  - Use matched-length routing for clock pairs (CK/CK#)
  - Implement proper clock tree synthesis with controlled impedance

 Pitfall 3: Power Supply Noise 
-  Problem : VDD/VDDQ ripple exceeding specifications during simultaneous switching
-  Solution :
  - Use dedicated power planes with multiple vias
  - Place decoupling capacitors (0.1μF ceramic) within 5mm of each power pin
  - Implement bulk capacitance (10-47μF) near the memory array

### Compatibility Issues with Other Components

 Controller Interface

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