IC Phoenix logo

Home ›  K  › K3 > K6X0808C1D-RF70

K6X0808C1D-RF70 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6X0808C1D-RF70

Manufacturer: SAMSUNG

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6X0808C1D-RF70,K6X0808C1DRF70 SAMSUNG 15000 In Stock

Description and Introduction

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM **Part Number:** K6X0808C1D-RF70  
**Manufacturer:** SAMSUNG  

### **Specifications:**  
1. **Memory Type:** DDR4 SDRAM  
2. **Density:** 8Gb (Gigabit)  
3. **Organization:** 1G x 8 (1 Gigabit x 8 banks)  
4. **Speed Grade:** RF70 (DDR4-3200)  
5. **Voltage Supply:** 1.2V (VDD, VDDQ)  
6. **Interface:** 288-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
7. **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to 95°C) or Industrial (-40°C to 95°C) depending on variant  
8. **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh supported  
9. **CAS Latency (CL):** Programmable (supports JEDEC standard timings)  

### **Descriptions & Features:**  
- High-speed, low-power DDR4 memory module designed for computing and embedded applications.  
- Compliant with JEDEC DDR4 standards for reliability and compatibility.  
- On-die termination (ODT) for improved signal integrity.  
- Supports write leveling and data bus inversion (DBI).  
- Features include bank grouping for higher bandwidth efficiency.  
- Suitable for servers, workstations, and high-performance computing systems.  

(Note: Exact specifications may vary based on datasheet revisions. Refer to the official Samsung datasheet for precise details.)

Application Scenarios & Design Considerations

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6X0808C1DRF70 Memory IC

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : DDR4 SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
 Part Number : K6X0808C1DRF70  
 Configuration : 8Gb (Gigabit) density, x8 organization, 70-ball FBGA package

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The K6X0808C1DRF70 is a DDR4 SDRAM component designed for high-performance computing applications requiring reliable, high-speed memory access. Its primary use cases include:

*    Main System Memory : Serving as the primary working memory in computing systems, storing active data and program code for rapid CPU access.
*    Data Buffering/Caching : Temporarily holding data during transfer operations between processors, storage devices, or peripherals to mitigate speed mismatches.
*    Real-time Processing Support : Enabling applications that require predictable, low-latency memory access, such as signal processing and real-time control systems.

### Industry Applications
This component finds extensive use across multiple technology sectors:

*    Enterprise Servers and Data Centers : Used in server DIMMs (Dual In-line Memory Modules) for cloud computing, virtualization, and database management, where high bandwidth and large memory capacities are critical.
*    High-Performance Computing (HPC) : Integral to workstations, render farms, and scientific computing clusters that handle complex simulations, financial modeling, and AI/ML training workloads.
*    Networking Equipment : Employed in routers, switches, and network interface cards to manage packet buffers, routing tables, and traffic queues.
*    Embedded Systems : Suitable for advanced embedded platforms in telecommunications, industrial automation, and medical imaging devices that demand robust, high-throughput memory.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Bandwidth : DDR4 technology offers significantly higher data transfer rates (up to 3200 MT/s for this family) compared to DDR3, improving overall system throughput.
*    Improved Power Efficiency : Operates at a lower voltage (1.2V typical) than previous generations, reducing power consumption and thermal load—a key advantage for dense server configurations.
*    Enhanced Reliability : Features like on-die ECC (Error-Correcting Code) for certain models (verify specific variant) and improved signal integrity support data-critical applications.
*    High Density : The 8Gb die in a compact FBGA package allows for large memory capacities in a small footprint.

 Limitations: 
*    Compatibility : Requires a DDR4-compatible memory controller. It is not backward compatible with DDR3 or DDR2 sockets or voltage levels.
*    Signal Integrity Sensitivity : The high-speed operation makes the design susceptible to noise, crosstalk, and timing skew, demanding careful PCB design.
*    Cost : Generally higher cost per bit than older-generation memory, though this is offset by performance and efficiency gains in target applications.
*    Thermal Management : While more efficient, high-density modules in confined spaces may still require attention to airflow or heat spreading.

---

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Improper Termination 
    *    Issue : Unterminated or poorly terminated transmission lines cause signal reflections, leading to data errors and timing violations.
    *    Solution : Implement precise on-DIMM termination as per JEDEC DDR4 specifications. For system board design, use recommended termination schemes (typically ODT - On-Die Termination) and ensure termination resistor values and placements are accurate.

*    Pitfall 2: Violating Timing Constraints 
    *    Issue : Not meeting critical timing parameters like tCK (clock cycle time), tRCD

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips