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K6T4016V3C-TB55 from SAMSUNG

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K6T4016V3C-TB55

Manufacturer: SAMSUNG

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T4016V3C-TB55,K6T4016V3CTB55 SAMSUNG 2148 In Stock

Description and Introduction

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The **K6T4016V3C-TB55** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T4016V3C-TB55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 4M x 16 (64Mb)  
- **Organization:** 4,194,304 words × 16 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 55ns access time  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for 3.3V operation.  
- **Burst Mode Support:** Enhances sequential data access efficiency.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **CAS Latency (CL):** Programmable for flexible system integration.  
- **Wide Temperature Range:** Suitable for commercial applications.  

This memory chip is commonly used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring moderate-speed, low-power DRAM solutions.  

(Note: Always refer to the official Samsung datasheet for the most accurate and detailed specifications.)

Application Scenarios & Design Considerations

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T4016V3CTB55 Memory Module

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : DDR SDRAM Module  
 Part Number : K6T4016V3CTB55  

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## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The K6T4016V3CTB55 is a 512MB DDR-333 (PC2700) SDRAM module designed for systems requiring moderate-speed memory with reliable performance. This 184-pin DIMM (Dual In-line Memory Module) operates at 333 MHz with CAS latency of 2.5, making it suitable for:

-  Desktop Computing Systems : Mid-range office workstations, educational computers, and home PCs where cost-effective memory expansion is needed
-  Legacy System Upgrades : Replacement or upgrade memory for systems manufactured in the early-to-mid 2000s
-  Embedded Industrial Computers : Control systems, kiosks, and point-of-sale terminals requiring stable DDR1 memory
-  Test and Measurement Equipment : Laboratory instruments and diagnostic devices with established DDR1 architectures

### Industry Applications
-  Telecommunications : Legacy switching equipment and network infrastructure components
-  Medical Devices : Older generation diagnostic imaging systems and patient monitoring equipment
-  Industrial Automation : PLCs (Programmable Logic Controllers) and HMI (Human-Machine Interface) panels
-  Retail Systems : Older POS terminals and inventory management systems
-  Educational Institutions : Computer labs maintaining legacy hardware for compatibility with older educational software

### Practical Advantages
-  Backward Compatibility : Can operate at lower frequencies (266MHz, 200MHz) for compatibility with older chipsets
-  Proven Reliability : Mature DDR1 technology with well-understood failure modes and established testing methodologies
-  Thermal Efficiency : Lower power consumption compared to contemporary alternatives at time of manufacture (2.5V operation)
-  Cost-Effective Maintenance : Economical solution for extending service life of legacy systems

### Limitations
-  Obsolete Technology : DDR1 has been superseded by DDR2, DDR3, DDR4, and DDR5 technologies
-  Limited Availability : Becoming increasingly difficult to source as production has ceased
-  Speed Constraints : Maximum 333MHz data rate is insufficient for modern applications
-  Capacity Restrictions : Maximum module density of 512MB is inadequate for contemporary software requirements
-  Voltage Incompatibility : 2.5V operation prevents use in systems designed for newer memory technologies

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## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Incorrect Voltage Application 
-  Problem : Applying voltages outside the 2.5V±0.2V specification
-  Solution : Implement precise voltage regulation with proper decoupling capacitors near the memory socket

 Pitfall 2: Improper Timing Configuration 
-  Problem : BIOS/EFI settings not matching module specifications (CAS 2.5, tRCD 3, tRP 3, tRAS 7)
-  Solution : Ensure SPD (Serial Presence Detect) is properly programmed and recognized by the system

 Pitfall 3: Thermal Management Neglect 
-  Problem : Overheating in confined spaces due to lack of airflow
-  Solution : Maintain minimum 0.5 m/s airflow across module surface, consider heat spreaders in dense configurations

 Pitfall 4: Mixed Module Installation 
-  Problem : Combining modules with different timing characteristics or densities
-  Solution : Use identical modules in each channel, verify compatibility before installation

### Compatibility Issues
-  Chipset Limitations : Compatible only with DDR1 memory controllers (Intel 865/875, VIA KT600, nForce2, etc.)
-  Operating System Constraints : 32-bit operating systems may not fully

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