256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The **K6T4016V3C-TB55** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T4016V3C-TB55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 4M x 16 (64Mb)  
- **Organization:** 4,194,304 words × 16 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 55ns access time  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for 3.3V operation.  
- **Burst Mode Support:** Enhances sequential data access efficiency.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **CAS Latency (CL):** Programmable for flexible system integration.  
- **Wide Temperature Range:** Suitable for commercial applications.  

This memory chip is commonly used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring moderate-speed, low-power DRAM solutions.  

(Note: Always refer to the official Samsung datasheet for the most accurate and detailed specifications.)