IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K6T4016U3C-TB70

K6T4016U3C-TB70 from SAM

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6T4016U3C-TB70

Manufacturer: SAM

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T4016U3C-TB70,K6T4016U3CTB70 SAM 822 In Stock

Description and Introduction

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The part **K6T4016U3C-TB70** is manufactured by **SAM (Samsung)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Density:** 4Mbit (256K x 16)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Access Time:** 70ns  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation:** 70ns access time for efficient performance.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Wide Voltage Range:** Supports 3.3V operation.  
- **Reliable Performance:** Designed for stable data retention and fast access.  
- **Industry-Standard Package:** TSOP for easy integration into various designs.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring fast, non-volatile memory.

Application Scenarios & Design Considerations

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T4016U3CTB70 16Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM (PSRAM)

 Manufacturer:  Samsung (SAM)
 Component Type:  16Mbit (1,048,576 words × 16 bits) 3.3V Pseudo Static RAM (PSRAM)
 Package:  48-TSOP Type II (400mil width)

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K6T4016U3CTB70 is a Pseudo Static RAM (PSRAM) that merges the high-density, cost-effective architecture of DRAM with the simple, asynchronous interface of SRAM. This makes it a versatile memory solution for several key applications.

*    Embedded Systems & Microcontrollers:  A primary use case is as external working memory for 16-bit or 32-bit microcontrollers (MCUs) that lack sufficient internal RAM. Its asynchronous, SRAM-like interface allows for easy connection to standard MCU external bus interfaces (EBI) without complex DRAM controllers.
*    Display Frame Buffers:  Commonly used in mid-to-high-resolution display modules (e.g., TFT LCDs for industrial HMIs, medical devices, and automotive clusters) to store pixel data. The 16-bit wide data bus is efficient for 16-bit (RGB565) color depth graphics.
*    Data Logging & Temporary Storage:  Ideal for applications requiring moderate-speed storage of sensor data, communication packets, or user input before processing or transfer to non-volatile memory.
*    Voice/Audio Buffering:  Used in digital voice recorders, intercom systems, or telephony equipment for buffering audio samples during recording or playback.

### 1.2 Industry Applications
*    Industrial Automation:  Programmable Logic Controller (PLC) data handling, HMI touchscreen graphics buffering, and machine vision temporary image storage.
*    Consumer Electronics:  Feature phones, portable gaming devices, printers, and multifunction peripherals where cost-sensitive designs benefit from PSRAM's density advantage over SRAM.
*    Automotive (Non-Critical):  Infotainment systems, mid-tier instrument clusters, and rear-seat entertainment units.  (Note:  Designers must verify specific grade/qualification for automotive use; this standard commercial part may not be AEC-Q100 qualified).
*    Telecommunications:  Network interface cards, routers, and switches for packet buffering and configuration storage.
*    Medical Devices:  Patient monitoring equipment, portable diagnostic devices for data acquisition and display.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Density/Cost Ratio:  Provides significantly more memory per dollar than traditional 6T SRAM of equivalent density, enabling more feature-rich designs at a lower cost.
*    Simple Interface:  Asynchronous, SRAM-compatible control signals (`/CE`, `/OE`, `/WE`, `UB`, `LB`) eliminate the need for a complex DRAM controller, refresh management, and associated timing circuitry, simplifying system design.
*    Low Power Consumption:  Features a low-power CMOS technology. It supports automatic power-down when deselected (`/CE` high) and offers a deep power-down mode for battery-sensitive applications.
*    Single 3.3V Supply:  Operates from a standard 3.3V ±0.3V power supply, compatible with modern low-voltage logic.

 Limitations: 
*    Slower Access Time vs. High-Speed SRAM:  Typical access time (`tAA`) is 70ns (as indicated by "70" in the part number). This is sufficient for many microcontroller and display applications but is slower than fast synchronous SRAM or SDRAM.
*    Internal Refresh Overhead:  While the refresh is handled internally, it can

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips