IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K6T4016C3B-TB70

K6T4016C3B-TB70 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6T4016C3B-TB70

Manufacturer: SAMSUNG, SEC

256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T4016C3B-TB70,K6T4016C3BTB70 SAMSUNG, SEC 2691 In Stock

Description and Introduction

256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM The K6T4016C3B-TB70 is a memory IC manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T4016C3B-TB70  
- **Memory Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 4Mbit (256K x 16)  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Organization:** 256K words × 16 bits  
- **Access Time:** 70ns (TB70 speed grade)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **High-Speed Operation:** Suitable for systems requiring fast access times.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V, compatible with standard logic levels.  
- **Asynchronous Operation:** No clock signal required for read/write operations.  
- **Industrial-Grade Options:** Available in extended temperature ranges for harsh environments.  
- **Common Applications:** Embedded systems, networking equipment, telecommunications, and consumer electronics.  

For exact details, refer to the official Samsung datasheet for the K6T4016C3B-TB70.

Application Scenarios & Design Considerations

256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM# Technical Documentation: K6T4016C3BTB70 1M-Word x 16-Bit x 4-Bank Mobile RAM

 Manufacturer : SEC (Samsung Electronics)
 Component Type : 1,048,576-Word x 16-Bit x 4-Bank Mobile Synchronous DRAM (SDRAM)
 Revision : 1.0
 Date : October 2023

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K6T4016C3BTB70 is a 64Mb (16Mx16) low-power mobile SDRAM designed for applications requiring moderate memory bandwidth with stringent power constraints. Its primary use cases include:

*    Portable Consumer Electronics : Serving as main working memory in handheld gaming devices, portable media players, and advanced remote controls where extended battery life is critical.
*    Feature Phones and Entry-Level Smart Devices : Providing cost-effective memory solutions for devices with basic multimedia and application processing needs, often paired with lower-power application processors or microcontrollers.
*    Industrial Handheld Terminals : Used in barcode scanners, portable data collectors, and field maintenance tools where reliability and low power consumption in varying environmental conditions are paramount.
*    Secondary Display or Subsystem Memory : Acting as frame buffer memory for auxiliary displays in automotive infotainment systems or complex industrial control panels.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics : Dominates the low-to-mid-tier portable device market. Its balance of performance and power efficiency makes it suitable for products with lifecycle considerations and tight bill-of-material (BOM) costs.
*    Industrial Automation : Employed in human-machine interface (HMI) panels, handheld test equipment, and embedded controllers. The component's specified industrial temperature range variants (if applicable) support operation in non-climate-controlled environments.
*    Telecommunications : Found in legacy network equipment, routers, and switches requiring stable, low-power memory for packet buffering and management processing.
*    Automotive (Non-Critical Systems) : Used in secondary vehicle systems such as basic telematics units or rear-seat entertainment, where reliability standards are high but performance demands are moderate.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Power Operation : Features like partial array self-refresh (PASR), deep power-down mode, and temperature-compensated self-refresh (TCSR) significantly reduce active and standby power consumption, crucial for battery-powered devices.
*    Cost-Effectiveness : As a mature technology node component, it offers a reliable and economical memory solution for cost-sensitive designs.
*    Adequate Performance for Target Markets : With clock frequencies typically up to 166MHz (data rate of 333Mbps/pin), it provides sufficient bandwidth for the processing needs of its target applications.
*    Standardized Interface : Uses the standard mobile SDRAM interface (e.g., JEDEC-compliant), simplifying controller design and integration.

 Limitations: 
*    Performance Ceiling : Compared to modern LPDDR4/4X/5 SDRAM, its bandwidth is limited, making it unsuitable for high-resolution video processing, advanced gaming, or AI workloads.
*    Density Limitation : The 64Mb density may be insufficient for applications requiring large memory footprints, such as complex operating systems or extensive data logging.
*    Voltage Compatibility : Operating at 1.8V core/VDDQ (typical) may require level shifters or specific power rails when interfacing with newer processors that use lower I/O voltages (e.g., 1.2V, 1.1V).
*    Component Aging : As a legacy part, long-term procurement and lifecycle management may become a concern for new designs, with potential migration needed to

Alternative Part Number

  • IS61LV256-70T --: SRAM with similar 256K density and 70ns access time; different series naming makes it easy to distinguish from the original.
  • CY62256-70PC --: Widely available 32Kx8 SRAM with 70ns speed grade; a common drop-in style alternative from a different vendor family.
  • AS6C62256-70PCN --: Low-power 32Kx8 SRAM with 70ns timing, often used to replace legacy Samsung SRAM parts; distinct prefix and series.
  • CY7C1041CV33-70ZC --: 256Kx16 low-power SRAM in the same speed grade, pin-compatible replacement for the original Samsung part.
  • AS6C4016-55TIN --: 256Kx16 CMOS SRAM with similar organization and timing, a common drop-in substitute for legacy Samsung SRAMs.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips