256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T4016C3B-TB55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual data:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 4Mbit  
- **Organization:** 256K x 16  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 55ns (Access Time)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **High-Speed Operation:** 55ns access time suitable for performance-critical systems.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V, compatible with standard logic levels.  
- **Reliable Performance:** Built with SAMSUNG’s high-quality semiconductor technology.  
- **Common Applications:** Used in networking equipment, telecommunications, industrial control systems, and embedded computing.  

For exact details, refer to the official **SAMSUNG datasheet** for the **K6T4016C3B-TB55**.