512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The **K6T4008V1C-GF70** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 7ns (143MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Interface:** LVTTL  
- **Refresh:** 8K refresh cycles (64ms)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**  
- The **K6T4008V1C-GF70** is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports **burst read and write operations** with programmable burst lengths.  
- Features **auto refresh and self refresh** modes.  

### **Features:**  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **Single 3.3V ±0.3V power supply**  
- **Fully synchronous operation** with a single clock (CLK)  
- **Data Mask (DM)** for write control  
- **Compatible with JEDEC standards**  

This information is sourced from Samsung's official datasheet for the **K6T4008V1C-GF70**.