512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **K6T4008C1C-DB70** is manufactured by **Samsung (SAM)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 400MHz (PC3200)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II  
- **Refresh:** 8K/64ms refresh cycle  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Data Transfer:** Supports up to 400MHz clock frequency.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 2.5V for reduced power usage.  
- **Burst Length:** Supports 2, 4, or 8 burst lengths.  
- **CAS Latency:** Programmable (2, 2.5, or 3).  
- **Auto & Self Refresh:** Supports both modes for power efficiency.  
- **Fully Synchronous:** All signals synchronized to the positive clock edge.  
- **Bi-Directional Data Strobe (DQS):** Enables high-speed data capture.  

This memory module is designed for high-performance computing applications requiring reliable and fast DDR SDRAM.

512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The K6T4008C1C-DB70 is a memory chip manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T4008C1C-DB70  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 4Mbit (512K x 8)  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 70ns (access time)  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard logic levels.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **CAS Latency:** Programmable for timing flexibility.  
- **Burst Mode Support:** Enhances sequential data access efficiency.  
- **Common I/O Design:** Simplifies interfacing with microcontrollers and processors.  

This chip is typically used in embedded systems, networking devices, and industrial applications requiring low-power, high-reliability memory.  

(Note: If additional details such as timing diagrams or electrical characteristics are needed, they can be found in the official Samsung datasheet.)