512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The K6T4008C1B-VF55 is a memory IC manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T4008C1B-VF55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 512Mbit (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 55ns (VF55 speed grade)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- The K6T4008C1B-VF55 is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for high-performance memory applications.  
- It supports burst read and write operations for efficient data transfer.  
- Features a fully synchronous pipeline architecture for improved performance.  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled commands and data transfers.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **CAS Latency Options:** Programmable (2 or 3 cycles).  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Ensures industry-standard compliance.  

This information is based on available datasheet details for the K6T4008C1B-VF55 SDRAM from Samsung.