512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM Here are the factual details about the **K6T4008C1B-VB55** from the manufacturer **SAMSUNG**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Model Number:** K6T4008C1B-VB55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 4Mbit (512K x 8)  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 55ns  
- **Package Type:** 400-mil SOJ (Small Outline J-Lead)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Refresh Cycles:** 4K refresh cycles every 64ms  

### **Descriptions:**
- The **K6T4008C1B-VB55** is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring fast data access and low power consumption.  
- It supports a fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  
- Features a burst mode for efficient data transfer.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled read/write operations.  
- **Burst Mode Support:** Sequential burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full-page.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes.  
- **CAS Latency Options:** Programmable CAS latency (2 or 3).  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard 3.3V logic levels.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet for the **K6T4008C1B-VB55** SDRAM module.