512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T4008C1B-MB70** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 4Mbit (512K x 8)  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 70ns (CL=3)  
- **Package Type:** 400mil SOJ (Small Outline J-lead)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-speed, low-power** applications.  
- Supports **burst mode** operation for faster data access.  
- Fully **synchronous** with a single 3.3V power supply.  
- Compatible with **LVTTL** (Low Voltage TTL) interfaces.  

### **Features:**  
- **Auto Refresh & Self Refresh** modes for power efficiency.  
- **CAS Latency (CL):** Programmable (2 or 3).  
- **Burst Lengths:** 1, 2, 4, 8, or full page.  
- **Four Banks Operation** for improved performance.  
- **Industrial-grade** variants available for extended temperature ranges.  

This IC was commonly used in **PC memory modules, networking devices, and embedded systems** during its production period.  

(Note: This information is based on historical data; verify with official datasheets for precise details.)