512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T4008C1B-MB55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T4008C1B-MB55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 4Mbit (512K x 8)  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 55ns (Access Time)  
- **Package:** 400mil SOJ (Small Outline J-lead)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (varies by model)  
- **Refresh Cycles:** 4096 cycles/64ms  

### **Descriptions:**
- The **K6T4008C1B-MB55** is a **4Mbit CMOS SDRAM** designed for high-speed data processing in applications requiring synchronous operation.  
- It supports **burst mode operations** for efficient data transfer.  
- It is commonly used in **PC peripherals, networking devices, and embedded systems**.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for precise timing.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **Fully Static Operation:** No refresh required during standby.  
- **Automatic Precharge & Refresh:** Supports self-refresh mode.  
- **Burst Read/Write Capability:** Supports sequential data access.  
- **CAS Latency Options:** Programmable for system optimization.  
- **Industrial-Grade Options Available:** Wider temperature range for harsh environments.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.