512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T4008C1B-GL70** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T4008C1B-GL70  
- **Memory Type:** SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Density:** 4 Mbit (512K x 8)  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package Type:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  

### **Descriptions:**  
- The **K6T4008C1B-GL70** is a low-power CMOS SRAM designed for applications requiring high-speed data access.  
- It is commonly used in embedded systems, networking devices, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **High-Speed Operation:** 70 ns access time for efficient performance.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V ±10%.  
- **Fully Static Operation:** No refresh cycles required.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **Industrial-Grade Reliability:** Robust design for stable operation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.