512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The K6T4008C1B-GF55 is a memory IC manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 8M words × 8 bits × 8 banks  
- **Voltage Supply:** 1.8V  
- **Speed:** 400MHz (DDR400)  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Interface:** Double Data Rate (DDR)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V for reduced power usage.  
- **High-Speed Performance:** Supports DDR400 (400Mbps data rate).  
- **Burst Length:** Programmable burst lengths of 2, 4, or 8.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for power efficiency.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity.  
- **CAS Latency (CL):** Supports CL2, CL2.5, and CL3.  
- **Bank Management:** 8 internal banks for efficient memory access.  

This information is based on Samsung’s official documentation for the K6T4008C1B-GF55. For detailed datasheets, refer to Samsung’s official resources.