512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T4008C1B-DL55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 4Mbit (512K x 8)  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (± 0.3V)  
- **Speed:** 55ns (Access Time)  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **Fully Synchronous Operation:** All signals are registered on the positive edge of the clock.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for efficient power management.  
- **Burst Mode Support:** Sequential read/write operations for faster data access.  
- **CAS Latency:** Programmable (typically 2 or 3 cycles).  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard low-voltage systems.  
- **Common I/O Interface:** Simplifies system design.  

This memory IC is typically used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring low-power, high-speed memory.  

(Note: For exact datasheet details, refer to Samsung's official documentation.)