256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The **K6T2008V2A-YF85** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T2008V2A-YF85  
- **Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 2Mbit (256K x 8)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed:** 85ns (access time)  
- **Package:** SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant.  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V, making it compatible with standard logic levels.  
- **High-Speed Access:** 85ns access time suitable for various embedded systems.  
- **Asynchronous Operation:** No clock required for read/write operations.  
- **Reliable Performance:** SAMSUNG’s quality assurance ensures stable operation in industrial and commercial applications.  
- **Common Applications:** Used in networking equipment, telecommunications, automotive electronics, and embedded systems.  

This information is strictly based on the available knowledge base for the **K6T2008V2A-YF85** SRAM chip from SAMSUNG.