256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The K6T2008U2A-YF85 is a memory IC manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T2008U2A-YF85  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 256Mbit (16M x 16)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed:** 8ns (125MHz)  
- **Package:** 54-TSOP (400mil)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions:**  
- The K6T2008U2A-YF85 is a high-speed CMOS synchronous DRAM with a 16-bit data bus.  
- It is designed for applications requiring high-speed data transfer and low power consumption.  
- Supports burst read and write operations.  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for precise timing.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** For power-saving modes.  
- **CAS Latency Options:** 2 or 3 cycles.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **Fully Compatible with JEDEC Standards:** Ensures industry-wide compatibility.  

This information is based solely on the available specifications for the K6T2008U2A-YF85 from Samsung.