256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The part **K6T2008U2A-YF10** is a memory chip manufactured by **SAM (Samsung Advanced Memory)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 2 Mbit (256K x 8)  
- **Organization:** 256K words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 10 ns (YF10 speed grade)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- **High-Speed Performance:** Designed for applications requiring fast access times.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive systems.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V with tolerance for minor fluctuations.  
- **Reliable Data Retention:** Ensures stable operation without frequent refresh cycles (unlike DRAM).  

### **Features:**  
- **Fast Access Time:** 10 ns (for YF10 speed grade).  
- **Low Standby Current:** Reduces power consumption in idle mode.  
- **CMOS Technology:** Ensures high noise immunity and low power dissipation.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **Industrial-Grade Option:** Available for extended temperature range applications.  

This information is based solely on the manufacturer's specifications for the **K6T2008U2A-YF10** SRAM chip. For exact details, always refer to the official Samsung/SAM datasheet.

256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The part **K6T2008U2A-YF10** is manufactured by **SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 2 Mbit (256K x 8)  
- **Organization:** 256K words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Package Type:** SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Suitable for battery-powered applications.  
- **High-Speed Performance:** 10 ns access time for fast data retrieval.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V, compatible with low-power systems.  
- **Asynchronous Operation:** No clock signal required for read/write operations.  
- **CMOS Technology:** Ensures reliability and low power dissipation.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, networking equipment, and other applications requiring fast, non-volatile memory.