128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The part **K6T1008V2C-GF70** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T1008V2C-GF70  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit  
- **Organization:** 1M x 8-bit x 16 banks  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed:** 70ns (GF70 denotes speed grade)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- The **K6T1008V2C-GF70** is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high-density memory with fast access times.  
- It supports **burst mode** operations for efficient data transfer.  
- Features **16 internal banks** for improved performance in multi-tasking environments.  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for precise timing.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **Programmable Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full-page.  
- **CAS Latency (CL):** Supports programmable latency settings.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  

This information is based on standard SAMSUNG SDRAM specifications. For exact details, refer to the official datasheet.