128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **K6T1008C2E-TF55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T1008C2E-TF55  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 128Mb (Megabit)  
- **Organization:** 1M x 16 (1 Meg x 16-bit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed:** 55ns (Access Time)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-efficient applications.  
- **High-Speed Operation:** Supports fast read/write operations.  
- **Wide Compatibility:** Suitable for various embedded and consumer electronics applications.  
- **Refresh Mechanism:** Requires periodic refresh cycles to retain data.  
- **Industry-Standard Interface:** Compatible with standard memory controllers.  

This information is based solely on the available knowledge base. No additional guidance or suggestions are provided.