IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K6T1008C2E-TF55

K6T1008C2E-TF55 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6T1008C2E-TF55

Manufacturer: SAMSUNG

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T1008C2E-TF55,K6T1008C2ETF55 SAMSUNG 2148 In Stock

Description and Introduction

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **K6T1008C2E-TF55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T1008C2E-TF55  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 128Mb (Megabit)  
- **Organization:** 1M x 16 (1 Meg x 16-bit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed:** 55ns (Access Time)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-efficient applications.  
- **High-Speed Operation:** Supports fast read/write operations.  
- **Wide Compatibility:** Suitable for various embedded and consumer electronics applications.  
- **Refresh Mechanism:** Requires periodic refresh cycles to retain data.  
- **Industry-Standard Interface:** Compatible with standard memory controllers.  

This information is based solely on the available knowledge base. No additional guidance or suggestions are provided.

Application Scenarios & Design Considerations

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T1008C2ETF55 128Mb (x16) Mobile DRAM

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : 128 Megabit (8M x 16) Mobile Low Power Synchronous DRAM (LPSDRAM)  
 Package : 54-Ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array), 0.8mm pitch  
 Technology : CMOS, 1.8V core / 1.8V I/O (VDD/VDDQ)

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The K6T1008C2ETF55 is a Mobile Low-Power SDRAM (LPSDRAM) designed primarily for power-constrained, space-sensitive embedded systems requiring moderate memory bandwidth. Its core functionality revolves as a working memory buffer.

*    Main System Memory in Compact Designs : Serves as the primary volatile memory for microcontroller units (MCUs) or application processors (APUs) in systems where a full-sized DDR memory interface is overkill or too power-intensive. Typical configurations involve a single chip or two chips in a 16-bit or 32-bit bus width setup.
*    Display Frame Buffer : Commonly used in Human-Machine Interface (HMI) applications, industrial HMIs, and portable medical devices to store and buffer graphical data for LCD or TFT displays. The x16 data bus provides sufficient bandwidth for refreshing moderate-resolution screens.
*    Data Logging and Temporary Storage : Acts as a high-speed buffer for data acquisition systems—such as portable data loggers, sensor hubs, or communication gateways—where data is collected at high rates before being processed or written to non-volatile storage.
*    Audio Processing Buffer : In digital audio equipment and voice recognition modules, this DRAM can buffer audio samples during recording, playback, or real-time processing algorithms.

### Industry Applications
*    Industrial Automation & Control : Programmable Logic Controller (PLC) modules, remote I/O units, and handheld configuration tools where reliability and extended temperature operation are critical.
*    Consumer Electronics : Advanced remote controls, smart home hubs, portable gaming devices, and e-readers.
*    Telecommunications : Network interface cards, IoT edge devices, and basic routing equipment.
*    Medical Devices : Portable patient monitors, diagnostic equipment, and infusion pumps, benefiting from its low-power operation and stable performance.
*    Automotive (Non-critical ECUs) : Infotainment system peripherals, telematics units, and body control modules (typically in non-safety-critical areas, subject to specific grade qualification).

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    Low Power Consumption : Operates at 1.8V (core and I/O), significantly reducing active and standby power compared to standard 3.3V SDRAM, which is crucial for battery-powered devices.
*    Compact Footprint : The 54-ball FBGA package (typically 8mm x 10mm) offers a very high density, saving valuable PCB real estate.
*    Simplified Interface : Uses a classic synchronous DRAM interface (CLK, CKE, CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM, Address, Data) which is easier to implement and validate compared to DDR interfaces, reducing design complexity and MCU pin-count requirements.
*    Predictable Latency : Offers deterministic access times, which can be beneficial for real-time systems where timing consistency is more important than peak bandwidth.

 Limitations: 
*    Limited Bandwidth : As a Single Data Rate (SDR) device, its data transfer rate is limited to one operation per clock cycle. It cannot match the performance of DDR, LPDDR, or similar memories.
*    Density Scalability : Maximum available density in this architecture is limited. For applications requiring >256Mb of RAM

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips