128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T1008C2E-TB55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T1008C2E-TB55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mb (8M x 16)  
- **Organization:** 8,388,608 words × 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 55ns (TB55 speed grade)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** LVTTL (Low Voltage TTL)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 cycles / 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**  
- A **128Mb SDRAM** designed for high-speed data transfer in computing and embedded applications.  
- Supports **burst read and write operations** for efficient data handling.  
- Features **auto refresh and self refresh modes** for power management.  

### **Features:**  
- **Synchronous operation** with a system clock.  
- **Programmable burst lengths** (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **CAS Latency (CL) options:** 2 or 3.  
- **Auto Precharge** function for improved efficiency.  
- **Single 3.3V power supply** for reduced power consumption.  
- **Compatible with JEDEC standards** for SDRAM.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.