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K6T1008C2E-RB55 from SAMSUNG

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K6T1008C2E-RB55

Manufacturer: SAMSUNG

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T1008C2E-RB55,K6T1008C2ERB55 SAMSUNG 15000 In Stock

Description and Introduction

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **K6T1008C2E-RB55** is manufactured by **SAMSUNG**.  

### Specifications:  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 1Gb (Gigabit)  
- **Organization**: 128M x 8 (128 Meg x 8 bits)  
- **Voltage**: 1.8V  
- **Speed**: 55ns (nanoseconds) access time  
- **Package**: RB55 (likely a BGA or similar package type)  
- **Interface**: Synchronous (if applicable, but exact details may vary)  

### Features:  
- Low power consumption  
- High-speed operation  
- Suitable for mobile and embedded applications  
- RoHS compliant (if applicable)  

For exact datasheet details, refer to Samsung's official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T1008C2ERB55 1Gb DDR SDRAM

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component : K6T1008C2ERB55  
 Type : 1Gb (128M x 8) DDR SDRAM  
 Package : 60-FBGA (8mm x 10.5mm, 0.8mm pitch)  
 Technology : CMOS, 55nm Process

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K6T1008C2ERB55 is a Double Data Rate Synchronous DRAM designed for applications requiring moderate bandwidth and density in compact form factors. Typical implementations include:

-  Embedded Memory Expansion : Primary system memory in embedded computing platforms where space constraints preclude DIMM modules
-  Buffer/Cache Memory : Temporary data storage in networking equipment, industrial controllers, and communication interfaces
-  Display Frame Buffers : Graphics memory for embedded displays in HMI panels, medical monitors, and automotive infotainment systems
-  Data Logging Storage : Volatile memory for high-speed data acquisition systems before transfer to non-volatile storage

### 1.2 Industry Applications

#### Consumer Electronics
-  Smart TVs and Set-Top Boxes : Frame buffering for video processing and UI rendering
-  Home Automation Controllers : Program execution memory for complex automation algorithms
-  Gaming Consoles : Supplemental memory for background tasks and asset streaming

#### Industrial Automation
-  PLC Systems : Data processing buffers for real-time control algorithms
-  Robotics Controllers : Motion planning buffers and sensor data temporary storage
-  Test and Measurement Equipment : High-speed capture memory for waveform analysis

#### Telecommunications
-  Network Switches/Routers : Packet buffering in edge networking equipment
-  Baseband Units : Temporary storage for signal processing in wireless infrastructure
-  Fiber Optic Transceivers : Data rate conversion buffers

#### Automotive
-  Infotainment Systems : Multimedia content buffering and application memory
-  ADAS Processors : Sensor fusion temporary storage (non-safety critical functions)
-  Digital Instrument Clusters : Display rendering buffers

#### Medical Devices
-  Patient Monitors : Waveform display buffers and data processing
-  Diagnostic Imaging : Intermediate image processing storage (non-archival)
-  Portable Medical Equipment : Application execution memory in compact designs

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  Compact Footprint : FBGA package enables high-density PCB layouts in space-constrained applications
-  Moderate Power Consumption : 1.8V VDD operation with power-down modes suitable for battery-sensitive designs
-  Cost-Effective Density : 1Gb capacity provides substantial memory in single-chip solution
-  Standard Interface : JEDEC-compliant DDR interface ensures broad controller compatibility
-  Industrial Temperature Support : -40°C to 95°C operation enables harsh environment deployment

#### Limitations:
-  Bandwidth Constraints : Single data rate per pin (DDR) limits maximum throughput compared to DDR2/DDR3 alternatives
-  Capacity Limitations : 1Gb maximum may require multiple devices for larger memory requirements
-  Refresh Overhead : Standard DRAM refresh cycles consume bandwidth and power
-  Signal Integrity Sensitivity : DDR signaling requires careful PCB design for reliable operation
-  Legacy Technology : Being DDR1, newer controllers may lack native support

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

#### Pitfall 1: Improper Power Sequencing
 Problem : Applying signals before VDD/VDDQ or violating ramp rates causes latch-up or initialization failures.  
 Solution : Implement sequenced power rails with proper monitoring. Ensure VDD/VDDQ stabilize within ±0.1V before

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