128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **K6T1008C2E-GP55** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T1008C2E-GP55  
- **Type:** DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (128 Meg x 8 bits)  
- **Speed:** 55ns (nanoseconds) access time  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V (standard DDR voltage)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-speed data transfer** in computing and embedded systems.  
- **Low power consumption** with 2.5V operation.  
- **Synchronous operation** with a clock signal for precise timing.  
- **Burst read/write** capability for efficient data handling.  
- **Auto refresh and self-refresh** modes for power-saving applications.  
- **Compatible with JEDEC standards** for DDR SDRAM.  
- Used in applications such as networking equipment, industrial systems, and consumer electronics.  

This information is based on standard specifications for similar Samsung DDR SDRAM components. For exact details, refer to the official Samsung datasheet.