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K6T1008C2E-GL55 from SAMSUNG

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K6T1008C2E-GL55

Manufacturer: SAMSUNG

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T1008C2E-GL55,K6T1008C2EGL55 SAMSUNG 15000 In Stock

Description and Introduction

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **K6T1008C2E-GL55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T1008C2E-GL55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mb (8M x 16)  
- **Organization:** 8 Meg x 16-bit  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 55ns (GL55 speed grade)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** LVTTL (Low Voltage TTL)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh & Self-refresh  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (varies by variant)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports fast access times (55ns).  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Burst Mode Support:** Enhances sequential data transfer efficiency.  
- **Programmable Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page burst modes.  
- **CAS Latency Options:** Configurable for system flexibility.  
- **Auto Precharge:** Improves memory management efficiency.  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Ensures industry-standard compliance.  

This IC is commonly used in embedded systems, networking devices, and industrial applications requiring reliable SDRAM performance.  

(Note: Always verify datasheets for precise technical details.)

Application Scenarios & Design Considerations

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T1008C2EGL55 Memory IC

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : 128Mbit (1M x 16-bit x 8 banks) Mobile Low-Power SDRAM  
 Package : 60-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)

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## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The K6T1008C2EGL55 is a  mobile low-power synchronous DRAM (LP-SDRAM)  designed for power-sensitive embedded systems requiring moderate memory bandwidth and density. Its primary use cases include:

*    Portable Consumer Electronics : Smartphones, feature phones, digital cameras, and portable media players where extended battery life is critical.
*    Wearable Devices : Smartwatches, fitness trackers, and wireless earbuds, leveraging its low active and standby power consumption.
*    IoT Edge Devices : Hub controllers, smart sensors, and industrial IoT modules that operate on battery or harvested energy.
*    Handheld Industrial Terminals : Barcode scanners, portable data loggers, and test equipment requiring reliable operation in varied environments.

### Industry Applications
*    Consumer Electronics : Dominates applications in mid-range mobile devices as a cost-effective main memory solution.
*    Automotive Infotainment : Used in secondary display systems or telematics units where thermal and power budgets are constrained (note: not typically for safety-critical systems).
*    Telecommunications : Found in LTE/5G modules, routers, and set-top boxes for buffer memory and program storage.
*    Medical Devices : Portable monitors and diagnostic tools where low electromagnetic interference (EMI) and power efficiency are paramount.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Power Operation : Features deep power-down, partial array self-refresh, and temperature-compensated self-refresh (TCSR) modes, significantly reducing average current consumption.
*    Small Form Factor : The 60-ball FBGA package (typically 8mm x 10mm) saves valuable PCB real estate.
*    Moderate Performance : Clock frequencies up to 166MHz (data rate of 333Mbps/pin) provide sufficient bandwidth for many embedded applications.
*    Cost-Effective : Offers a balance of density, performance, and power at a competitive price point for high-volume production.

 Limitations: 
*    Bandwidth Constraint : Compared to modern LPDDR4/5 or DDR3/4, its single-data-rate architecture offers limited peak bandwidth, making it unsuitable for high-performance computing or graphics.
*    Density Limitation : The 128Mbit (16MB) density is insufficient for applications requiring large memory footprints (e.g., rich OS smartphones, complex GUIs).
*    Legacy Interface : Uses a parallel interface with multiple control signals, which is less efficient in pin count compared to newer serialized interfaces.

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## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
| Pitfall | Consequence | Solution |
| :--- | :--- | :--- |
|  Inadequate Power Sequencing  | Can latch the internal state machine or cause excessive inrush current. | Strictly follow the manufacturer's recommended VDD/VDDQ power-up and power-down sequence. Use a power management IC (PMIC) with controlled ramp rates. |
|  Improper Termination  | Signal integrity issues (ringing, overshoot) leading to timing violations and data errors. | Use source-series termination (SSTL_2) on the controller side for clock and data lines. Ensure impedance matching per PCB stack-up. |
|  Ignoring Self-Refresh Current  | Battery drain in sleep mode exceeding system budget. | Utilize the  Partial Array Self-Refresh (PASR)  feature to refresh only active banks, and enable  

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