128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T1008C2E-GF55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T1008C2E-GF55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (16M x 8)  
- **Organization:** 16M words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 55ns (Access Time)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Enhances sequential data access efficiency.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **CAS Latency Options:** Programmable for system optimization.  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient applications.  
- **Wide Compatibility:** Used in embedded systems, networking devices, and industrial applications.  

This IC is commonly found in legacy systems requiring low-density SDRAM solutions. For exact datasheet details, refer to Samsung’s official documentation.