128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The K6T1008C2E-DB55 is a memory component manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T1008C2E-DB55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (16M x 8)  
- **Organization:** 16M words × 8 bits  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 55ns (access time)  
- **Package:** 400mil SOJ (Small Outline J-lead)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh:** 4K refresh cycles every 64ms  

### **Descriptions:**
- The K6T1008C2E-DB55 is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high-density, low-power memory.  
- It operates with a single 3.3V power supply and supports burst read/write operations.  
- The device is commonly used in networking equipment, embedded systems, and industrial applications.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential and interleaved burst modes.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Reduces power consumption in standby mode.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures efficient power usage.  
- **CAS Latency Options:** Programmable CAS latency (2 or 3 cycles).  
- **Compatibility:** Meets JEDEC standards for SDRAM.  

For exact datasheet details, refer to Samsung’s official documentation.