IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K6T0808C1D-TP70

K6T0808C1D-TP70 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6T0808C1D-TP70

Manufacturer: SAMSUNG

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T0808C1D-TP70,K6T0808C1DTP70 SAMSUNG 200 In Stock

Description and Introduction

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The K6T0808C1D-TP70 is a memory IC manufactured by SAMSUNG. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T0808C1D-TP70  
- **Memory Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 512K x 8 (4Mbit)  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Access Time:** 70ns  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Pin Count:** 44 pins  

### **Descriptions:**  
- The K6T0808C1D-TP70 is a low-power CMOS SRAM designed for high-speed applications.  
- It features a common data input/output structure and is compatible with industrial-standard SRAMs.  
- The device is suitable for battery-backed or low-power systems due to its low standby current.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 30mA (typical)  
  - Standby current: 5µA (typical)  
- **High-Speed Operation:** 70ns access time  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Fully Static Operation:** No refresh required  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  
- **Data Retention at Reduced Vcc (2.0V min.)**  

This information is based strictly on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.

Application Scenarios & Design Considerations

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T0808C1DTP70 Memory IC

 Manufacturer:  SAMSUNG  
 Component Type:  1Gb (128M x 8) DDR SDRAM  
 Package:  66-pin FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K6T0808C1DTP70 is a 1Gb Double Data Rate Synchronous DRAM (DDR SDRAM) organized as 128M words × 8 bits. Its primary function is to serve as high-speed, volatile working memory in digital systems requiring moderate density with an 8-bit data bus.

*    Embedded System Memory:  Frequently deployed as the main system memory in embedded computing platforms, including single-board computers (SBCs), industrial PCs, and set-top boxes, where its 8-bit width matches common low-to-mid-range microprocessor and microcontroller buses.
*    Buffer and Cache Memory:  Used in networking equipment (routers, switches) and storage controllers (RAID cards, NAS devices) for packet buffering, data caching, and lookup table storage, leveraging its synchronous, burst-oriented access for efficient data flow.
*    Display Frame Buffers:  Suitable for graphics subsystems in industrial HMIs, digital signage, and medical displays, where the memory stores frame data for refresh. The DDR interface provides sufficient bandwidth for resolutions up to HD (720p/1080i).

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Digital TVs, media players, and home automation hubs.
*    Telecommunications:  Enterprise-grade routers, VoIP gateways, and fiber-optic network terminals (ONTs).
*    Industrial Automation:  Programmable Logic Controller (PLC) units, human-machine interface (HMI) panels, and motor drive controllers.
*    Automotive Infotainment:  Mid-tier head units and rear-seat entertainment systems (subject to specific grade qualification; this part is typically commercial temperature range).

### 1.3 Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    Cost-Effective Density:  Provides 1Gb density in a compact FBGA package, offering a good balance of capacity and cost for 8-bit bus applications.
*    DDR1 Performance:  Offers a performance uplift over SDR SDRAM with double data rate transfer on each clock edge (at 133MHz/266Mbps or 166MHz/333Mbps data rates).
*    Low Power Modes:  Supports precharge power-down and self-refresh modes, beneficial for battery-powered or energy-conscious applications.
*    Standardized Interface:  Conforms to JEDEC DDR1 standards, ensuring broad controller compatibility and design familiarity.

 Limitations: 
*    Legacy Technology:  DDR1 is a superseded generation. New designs typically use DDR3, DDR4, or LPDDR for better performance, power efficiency, and density.
*    Bus Width:  The 8-bit width requires multiple devices in parallel (e.g., two for a 16-bit bus, four for a 32-bit bus) to achieve wider interfaces, increasing board area and complexity.
*    Voltage:  Requires both a 2.5V (±0.2V) core voltage (VDD) and a 2.5V (±0.2V) I/O voltage (VDDQ), necessitating a power rail that may not be native in modern low-voltage systems.
*    Temperature Range:  Typically specified for commercial (0°C to +70°C) or industrial (-40°C to +85°C) ranges. Not inherently qualified for extended automotive or military temperature ranges without specific screening.

---

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pit

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips