IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K6T0808C1D-TL55

K6T0808C1D-TL55 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6T0808C1D-TL55

Manufacturer: SAMSUNG

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T0808C1D-TL55,K6T0808C1DTL55 SAMSUNG 15000 In Stock

Description and Introduction

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T0808C1D-TL55** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** K6T0808C1D-TL55  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 8Mbit (1M x 8)  
- **Organization:** 1M words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Speed Grade:** -TL55 (55ns access time)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles/64ms  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **Burst Mode Support:** Enhances sequential data access efficiency.  
- **CAS Latency:** Programmable (typically 2 or 3 cycles).  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Ensures industry-standard compliance.  
- **Applications:** Used in embedded systems, networking devices, and consumer electronics.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official **SAMSUNG datasheet**.

Application Scenarios & Design Considerations

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T0808C1DTL55 8Mb Low-Power SRAM

 Manufacturer:  SAMSUNG  
 Component Type:  1M x 8-bit Low Power CMOS Static RAM (SRAM)  
 Revision:  1.0  
 Date:  October 26, 2023

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K6T0808C1DTL55 is a 8-megabit (1M x 8-bit) low-power CMOS static RAM designed for applications requiring non-volatile data retention with battery backup or persistent memory in power-constrained environments. Its primary use cases include:

*    Data Buffer and Cache Memory:  Serves as intermediate storage in communication systems, networking equipment, and industrial controllers where fast access to temporary data is critical.
*    Real-Time Clock (RTC) Backup Memory:  Maintains system configuration, time, and calendar data during main power loss, commonly used in servers, telecom infrastructure, and smart meters.
*    Program and Data Storage in Sleep Modes:  Retains operational parameters and state information in portable medical devices, handheld test equipment, and IoT endpoints during deep sleep or hibernation modes, enabling instant wake-up and resume.
*    Industrial Control Systems:  Stores setpoints, calibration data, and event logs in PLCs (Programmable Logic Controllers), motor drives, and robotics, where reliability and data integrity through power cycles are paramount.

### 1.2 Industry Applications
*    Telecommunications:  Line cards, baseband units, and network switches for storing routing tables and firmware backups.
*    Consumer Electronics:  Smart TVs, set-top boxes, and high-end audio/video equipment for system configuration and user settings.
*    Automotive (Infotainment & Body Control):  Stores user profiles, radio presets, and fault diagnostic codes. (Note: This part is not AEC-Q100 qualified; automotive use requires verification of specific grade components).
*    Industrial Automation & IoT:  Factory automation controllers, sensor hubs, and gateway devices requiring persistent memory with low standby current.
*    Medical Devices:  Patient monitoring equipment and portable diagnostic devices where maintaining patient data and device settings during battery changes is essential.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Ultra-Low Standby Current:  The `55` suffix typically indicates a low-power version, crucial for long battery life in backup scenarios.
*    Full CMOS Static Design:  No refresh required, simplifying controller interface design.
*    Wide Voltage Range:  Compatible with 2.7V to 5.5V operation, supporting interfacing with both 3.3V and 5V microcontrollers and FPGAs.
*    High Reliability:  CMOS technology offers good noise immunity and stable data retention.
*    Standard Pinout:  JEDEC-compatible 32-pin TSOP-I or similar package, facilitating easy replacement or design-in.

 Limitations: 
*    Density:  8Mb density may be insufficient for applications requiring large non-volatile storage, where serial Flash or MRAM might be more suitable.
*    Volatile Memory:  Requires an uninterrupted power supply (main or backup) to retain data. For fully non-volatile retention, an additional battery or supercapacitor circuit is mandatory.
*    Speed:  Access times are suitable for backup/configuration storage but may not meet the requirements for high-speed cache in performance-critical processors.
*    Physical Size:  The parallel interface and package are larger compared to serial SRAM or SPI Flash chips, consuming more PCB area.

---

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Insufficient Backup Power Duration 
    *    

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips