32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T0808C1D-RB70** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T0808C1D-RB70  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mbit (8M x 8-bit)  
- **Operating Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 70ns (Access Time)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Organization:** 8,388,608 words × 8 bits  
- **Refresh:** 4,096 cycles/64ms  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**
- The **K6T0808C1D-RB70** is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high-performance memory.  
- It operates at **3.3V** and supports a **70ns access time**, making it suitable for embedded systems, networking devices, and consumer electronics.  
- The **8M x 8-bit** organization allows flexible memory configurations.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for precise timing.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **Burst Mode:** Enhances data transfer efficiency.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-operated devices.  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Ensures industry-wide compatibility.  

This information is strictly based on the available technical data for the **K6T0808C1D-RB70** by **SAMSUNG**.