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K6T0808C1D-RB55 from SAMSUNG

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K6T0808C1D-RB55

Manufacturer: SAMSUNG

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T0808C1D-RB55,K6T0808C1DRB55 SAMSUNG 15000 In Stock

Description and Introduction

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The **K6T0808C1D-RB55** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6T0808C1D-RB55  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mbit (8M x 8)  
- **Organization:** 8,388,608 words x 8 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 55ns (CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Refresh:** 4,096 cycles / 64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-synchronized for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential burst read/write operations.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes power-saving modes.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  
- **CAS Latency (CL):** Programmable (2 or 3).  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard SDRAM interfaces.  
- **Industrial-Grade Option:** Available for extended temperature ranges.  

This component is commonly used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring reliable SDRAM memory.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications as variations may exist.)

Application Scenarios & Design Considerations

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T0808C1DRB55 8-Mbit SRAM

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : 1,048,576-word × 8-bit High-Speed CMOS Static RAM (SRAM)  
 Package : 48-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
 Revision : 1.0  
 Date : October 26, 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K6T0808C1DRB55 is a high-performance 8-Mbit asynchronous SRAM designed for applications requiring fast, non-volatile data buffer storage with minimal access latency. Its primary use cases include:

*    Data Buffering and Caching : Serving as an intermediate high-speed buffer between processors and slower memory subsystems (e.g., DDR SDRAM) or peripheral devices. It is ideal for storing packet headers, lookup tables, or frequently accessed data blocks.
*    Real-Time Systems : Employed in embedded control systems where deterministic access times are critical, such as in industrial PLCs (Programmable Logic Controllers), motor drives, and robotics. The SRAM's lack of refresh cycles guarantees predictable performance.
*    Communication Infrastructure : Used in network switches, routers, and baseband units for storing routing tables, connection state information, and data packets during processing, leveraging its fast read/write cycles.
*    Medical and Test Equipment : Provides reliable, fast memory for data acquisition systems, ultrasound machines, and oscilloscopes, where capturing and processing high-speed sensor data is essential.

### 1.2 Industry Applications
*    Automotive (Infotainment & ADAS) : In-vehicle infotainment systems use it for graphics frame buffering, while Advanced Driver-Assistance Systems (ADAS) may utilize it for temporary storage of sensor fusion data (e.g., from LiDAR, radar).  Note : This is a commercial-grade part; for safety-critical automotive applications, an AEC-Q100 qualified SRAM should be sourced.
*    Industrial Automation & IoT : Central to programmable automation controllers, CNC machines, and high-end IoT gateways for logging, real-time control algorithms, and communication protocol handling.
*    Consumer Electronics : Found in high-end printers, gaming peripherals, and digital signage for firmware execution and display data management.
*    Legacy System Maintenance : Commonly used in repair and upgrade scenarios for older telecom and computing equipment that originally specified this memory type.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Speed : Asynchronous operation with access times as low as 55ns (as indicated by the "55" suffix) enables zero-wait-state operation with many mid-range microcontrollers and processors.
*    Simplicity : No need for complex memory controllers, refresh cycles, or clock synchronization, simplifying system design and firmware development.
*    Reliability : CMOS technology offers low standby current and high noise immunity.
*    Non-Volatility with Battery Backup : When paired with a suitable battery backup circuit, it can function as non-volatile memory, preserving critical data during power loss.

 Limitations: 
*    Density & Cost : Lower density and higher cost-per-bit compared to DRAM. Not suitable for applications requiring very large memory footprints (e.g., >64 Mbit).
*    Power Consumption : Higher static and active power consumption per bit than low-power DRAM variants, making it less ideal for battery-only, always-on applications.
*    Package : The FBGA package requires precise PCB manufacturing and reflow soldering processes, complicating manual prototyping and repair.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Inadequate Decoupling.  High-speed switching

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