IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K6T0808C1D-GL70

K6T0808C1D-GL70 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6T0808C1D-GL70

Manufacturer: SAMSUNG

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6T0808C1D-GL70,K6T0808C1DGL70 SAMSUNG 15000 In Stock

Description and Introduction

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **K6T0808C1D-GL70** is a memory chip manufactured by **Samsung**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6T0808C1D-GL70  
- **Type:** Low-Power CMOS SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Density:** 64Kb (8K x 8-bit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Access Time:** 70ns  
- **Package Type:** SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  
- **Standby Current:** Low power consumption in standby mode  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for battery-powered or energy-efficient applications.  
- **High-Speed Operation:** 70ns access time suitable for embedded systems.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V, compatible with many low-power systems.  
- **CMOS Technology:** Ensures reliability and low noise.  
- **Non-Volatile (SRAM):** Requires continuous power to retain data.  
- **Industrial-Grade Options:** Some variants support extended temperature ranges.  

This chip is commonly used in embedded systems, networking devices, and industrial applications where fast, low-power SRAM is required.  

(Note: For exact datasheet details, refer to Samsung’s official documentation.)

Application Scenarios & Design Considerations

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6T0808C1D-GL70 Memory IC

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : 1Gb (128M x 8-bit) DDR SDRAM  
 Package : 60-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
 Revision : 1.0  

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K6T0808C1D-GL70 is a Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory (DDR SDRAM) component optimized for applications requiring moderate bandwidth and density in cost-sensitive embedded systems.

*    Primary Memory Buffer : Functions as the main working memory in systems where a 1Gb density meets requirements. Its 8-bit wide data bus is suitable for microcontrollers and processors with narrower memory interfaces.
*    Frame Buffer for Displays : Commonly employed in digital signage, industrial HMIs (Human-Machine Interfaces), and automotive infotainment systems to store display frame data. The DDR interface provides sufficient bandwidth for refreshing medium-resolution screens.
*    Data Logging Temporary Storage : Used in data acquisition systems, network appliances, and IoT gateways to temporarily buffer sensor data or network packets before processing or transmission to non-volatile storage.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics : Set-top boxes, digital media players, home networking equipment (routers, NAS), and smart home hubs.
*    Industrial Automation : Programmable Logic Controller (PLC) units, industrial PCs, and test/measurement equipment where reliability across a temperature range is critical.
*    Telecommunications : Entry-level network switches, routers, and customer-premises equipment (CPE).
*    Automotive (Commercial Grade) : In-vehicle systems like head units, rear-seat entertainment, and telematics control units (TCUs), typically in non-safety-critical domains.  Note : This specific GL70 variant is commercial/industrial grade; automotive-grade qualified parts would have a different suffix.
*    Embedded Computing : Single-board computers (SBCs), system-on-module (SoM) designs, and various embedded motherboards.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Cost-Effectiveness : As a mature DDR1 (DDR-200) technology component, it offers a very low cost-per-bit compared to newer DDR generations, ideal for bill-of-materials (BOM) sensitive designs.
*    Lower Interface Complexity : Compared to DDR2/3/4, DDR1 has simpler signaling (SSTL_2) and timing requirements, easing design and validation efforts.
*    Adequate Performance for Legacy/Embedded Systems : Provides a peak bandwidth of 1.6 GB/s (for a 64-bit system using eight chips), sufficient for many embedded applications not requiring high-speed data processing.
*    Proven Reliability : Based on a long-standing, well-characterized technology with known failure modes and mitigation strategies.

 Limitations: 
*    Obsolete Technology : DDR1 is a legacy standard. Long-term availability may become a concern, necessitating lifecycle management or last-time-buy decisions for long-term product support.
*    Lower Performance and Efficiency : Operates at lower data rates (200 Mbps/pin) and higher core voltage (2.5V ±0.2V) compared to modern DDR4 (1.2V) or LPDDR4, resulting in higher power consumption per bit transferred.
*    Density Limitation : Maximum available density per chip is limited in the DDR1 generation. Systems requiring >1GB of RAM would need multiple chips, increasing board space and complexity.
*    Signal Integrity Sensitivity : While simpler than newer DDR types, its SSTL_2 signaling still requires careful PCB design for stable operation

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips