256Kx16 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. The part **K6R4008V1D-TC08** is manufactured by **SAMSUNG**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 4 Mbit  
- **Organization:** 512K x 8-bit  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed:** 8 ns (Access Time)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- A high-performance, low-power CMOS SRAM device.  
- Designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- Suitable for cache memory, networking, and embedded systems.  

### **Features:**  
- **Fast Access Time:** 8 ns for high-speed applications.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-operated devices.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V ± 0.3V.  
- **Fully Static Operation:** No refresh required.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures easy interfacing with other logic circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.