IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K6R1008V1D-KI08

K6R1008V1D-KI08 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K6R1008V1D-KI08

Manufacturer: SAMSUNG

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6R1008V1D-KI08,K6R1008V1DKI08 SAMSUNG 2148 In Stock

Description and Introduction

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. **Part Number:** K6R1008V1D-KI08  
**Manufacturer:** SAMSUNG  

### **Specifications:**  
- **Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8-bit)  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Access Time:** 10ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  

### **Features:**  
- Low power consumption  
- High-speed performance  
- Fully static operation (no refresh required)  
- TTL-compatible inputs and outputs  
- Single 3.3V power supply  
- Industrial-grade reliability  

### **Description:**  
The K6R1008V1D-KI08 is a 1 Mbit SRAM chip from Samsung, designed for high-performance applications requiring fast and reliable data storage. It is commonly used in embedded systems, networking equipment, and industrial electronics. The 3.3V operation makes it suitable for low-power designs.  

Let me know if you need further details.

Application Scenarios & Design Considerations

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. # Technical Document: K6R1008V1DKI08 - 1Gb Low-Power DDR SDRAM

 Manufacturer : SAMSUNG
 Component Type : 1Gb (128M x 8) Low-Power Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM (LPDDR SDRAM)
 Revision : 1.0
 Date : October 2023

---

## 1. Application Scenarios (Approx. 45% of Content)

### 1.1 Typical Use Cases
The K6R1008V1DKI08 is a 1Gb Low-Power DDR SDRAM specifically engineered for power-sensitive applications requiring reliable, high-density memory in constrained environments. Its primary use cases include:

*    Always-On Memory for Mobile Processors : Serving as the main system memory in application processors for smartphones, tablets, and wearables, where it handles OS tasks, application data, and multimedia buffers.
*    Frame Buffer for Display Subsystems : Storing display frame data in portable devices with high-resolution screens (e.g., smartphones, portable gaming consoles, digital cameras), enabling smooth graphics rendering.
*    Data Logging and Temporary Storage : Acting as a high-speed buffer in IoT edge devices, industrial sensors, and automotive telematics units for aggregating sensor data before processing or transmission.
*    Low-Power Companion Memory : Working alongside microcontrollers (MCUs) or low-power application processors in battery-operated devices like wireless earbuds, smartwatches, and handheld medical monitors.

### 1.2 Industry Applications
This component finds critical deployment across several key industries:

*    Consumer Electronics : The dominant application area. It is a cornerstone component in smartphones, tablets, e-readers, and portable media players, where its balance of performance and power efficiency is paramount.
*    Automotive (Infotainment & Telematics) : Used in automotive head units, digital instrument clusters, and ADAS (Advanced Driver-Assistance Systems) modules that require reliable operation across a wide temperature range and low power draw to minimize battery drain when the vehicle is off.
*    Industrial IoT & Embedded Systems : Deployed in industrial HMIs, programmable logic controllers (PLCs), networking equipment, and ruggedized handheld terminals that demand stable memory performance in challenging environmental conditions.
*    Medical Devices : Suitable for portable diagnostic equipment, patient monitors, and wearable health trackers, where consistent performance and low electromagnetic interference (EMI) are crucial.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Exceptional Power Efficiency : Features like Deep Power-Down (DPD) mode, temperature-compensated self-refresh (TCSR), and partial array self-refresh (PASR) dramatically reduce active and standby power consumption, extending battery life.
*    Small Form Factor : Packaged in a compact, fine-pitch FBGA, it saves valuable PCB real estate in space-constrained designs.
*    High Performance : Offers a double data rate architecture with clock frequencies (e.g., up to 200 MHz for a 400 Mbps/pin data rate in this family), providing sufficient bandwidth for many embedded and mobile applications.
*    Wide Temperature Support : Typically qualified for commercial (0°C to 95°C) and industrial (-40°C to 105°C) temperature ranges, ensuring reliability in diverse environments.

 Limitations: 
*    Bandwidth vs. Standard DDR : While efficient, its maximum bandwidth is lower than contemporary standard DDR4 or LPDDR4/5 memories, making it less suitable for high-performance computing applications.
*    Complex Initialization & Timing : Requires a precise power-on and initialization sequence controlled by the memory controller. Incorrect timing parameters can lead to instability.
*    Signal Integrity Sensitivity : The high-speed interface is susceptible to noise, crosstalk, and

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips