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K6R1008C1D-KC10 from SAMSUNG

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K6R1008C1D-KC10

Manufacturer: SAMSUNG

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6R1008C1D-KC10,K6R1008C1DKC10 SAMSUNG 4000 In Stock

Description and Introduction

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. The part **K6R1008C1D-KC10** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6R1008C1D-KC10  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mb (16M x 8)  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 100MHz (CL2)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports 100MHz clock frequency with a CAS latency of 2.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 3.3V, making it suitable for power-sensitive applications.  
- **Synchronous Interface:** All signals are synchronized with the positive edge of the clock.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for efficient power management.  
- **Burst Mode:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with other 128Mb SDRAM devices.  

This information is based on the available technical documentation for the **K6R1008C1D-KC10** from SAMSUNG.

Application Scenarios & Design Considerations

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. # Technical Documentation: K6R1008C1DKC10 1Gb NAND Flash Memory

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : 1Gb (128MB) NAND Flash Memory  
 Package : 48-pin TSOP1 (Standard)  
 Technology : SLC (Single-Level Cell) NAND Flash  
 Revision : Document based on public datasheet specifications (K6R1008C1D series)

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## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The K6R1008C1DKC10 is a 1Gb SLC NAND flash memory designed for embedded systems requiring reliable, medium-density non-volatile storage. Its primary use cases include:

-  Firmware/Code Storage : Storing bootloaders, operating system kernels, and application code in industrial controllers, networking equipment, and automotive ECUs
-  Data Logging : Capturing operational parameters, event histories, and diagnostic information in medical devices, test equipment, and industrial sensors
-  Configuration Storage : Maintaining device settings, calibration data, and user preferences in telecommunications infrastructure and professional audio/video equipment
-  Boot Acceleration : Serving as shadow memory for frequently accessed data in SSD controllers and RAID systems

### Industry Applications
-  Industrial Automation : PLCs, HMIs, motor drives, and robotic controllers where data integrity and long-term reliability are critical
-  Telecommunications : Routers, switches, base station controllers, and optical network terminals requiring robust storage for firmware and configuration data
-  Automotive Electronics : Infotainment systems, instrument clusters, ADAS modules, and telematics units (non-safety-critical applications)
-  Medical Devices : Patient monitors, diagnostic equipment, and portable medical instruments needing reliable data retention
-  Consumer Electronics : High-end printers, digital signage, smart appliances, and professional audio equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Reliability : SLC technology provides excellent endurance (typically 100K program/erase cycles) and data retention (10+ years)
-  Predictable Performance : Consistent read/write speeds without the performance degradation associated with MLC/TLC NAND
-  Wide Temperature Support : Industrial-grade temperature range (-40°C to +85°C) suitable for harsh environments
-  Power Efficiency : Low active and standby power consumption ideal for battery-powered or energy-conscious applications
-  Error Management : Built-in ECC capability (1-bit correction per 528 bytes) with support for external ECC for enhanced data integrity

 Limitations: 
-  Lower Density : 1Gb capacity may be insufficient for applications requiring large storage (media files, extensive databases)
-  Higher Cost per Bit : SLC NAND is more expensive than MLC/TLC alternatives, making it less suitable for cost-sensitive high-volume consumer products
-  Sequential Access Pattern : NAND architecture requires block-based operations, making random write operations inefficient
-  Wear Management Required : Applications must implement wear leveling algorithms to maximize device lifespan
-  Complex Interface : Requires dedicated NAND flash controller or processor with NAND interface support

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## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Insufficient ECC Implementation 
-  Problem : Relying solely on internal ECC for critical data storage
-  Solution : Implement stronger external ECC (4-bit/528 bytes minimum for industrial applications) using dedicated ECC controllers or processor-based algorithms

 Pitfall 2: Poor Power Management 
-  Problem : Data corruption during unexpected power loss
-  Solution : Implement power monitoring circuitry with sufficient hold-up time (≥10ms) and write-protect mechanisms. Use tantalum or polymer capacitors (100-470µF) on VCC line

 Pitfall 3: Inadequate Wear Leveling 

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