512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM Here are the factual details about the **K6F8016R6B** from the manufacturer **SAMSUNG**:

### **Specifications:**  
- **Type:** 8M (1M x 8-bit) Low Power CMOS Static RAM (SRAM)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 55ns (max)  
- **Operating Current:** 20mA (typical at 55ns, 25°C)  
- **Standby Current:** 5µA (typical, CMOS level)  
- **Package:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Organization:** 1,048,576 words x 8 bits  

### **Descriptions:**  
- The **K6F8016R6B** is a high-performance, low-power CMOS SRAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- It is suitable for battery-powered devices due to its low standby current.  
- Fully static operation with no need for external clocks or refresh cycles.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 20mA (typical)  
  - Standby current: 5µA (typical, CMOS level)  
- **Wide Voltage Range:** 3.0V to 3.6V  
- **Fully Static Operation:** No refresh required  
- **Tri-State Outputs:** Directly TTL-compatible  
- **High Reliability:** Manufactured using advanced CMOS technology  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **K6F8016R6B** SRAM chip by **SAMSUNG**.