512K x 8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM The **K6F4008U2E-EF70** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6F4008U2E-EF70  
- **Memory Type:** SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 4 Mbit (512K x 8-bit)  
- **Operating Voltage:** 2.7V – 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Package Type:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (varies by model)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**
- The **K6F4008U2E-EF70** is a low-power CMOS SRAM designed for applications requiring fast access times and reliable data retention.  
- It is commonly used in embedded systems, networking equipment, and industrial applications.  
- Features a standby mode for reduced power consumption when not in active use.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Operates at a wide voltage range (2.7V – 3.6V) with power-saving standby mode.  
- **High-Speed Access:** 70 ns access time for efficient data retrieval.  
- **Wide Temperature Range:** Available in commercial and industrial temperature grades.  
- **Reliable Data Retention:** Ensures stability in volatile memory applications.  
- **Compact Package:** 32-pin SOP for space-efficient PCB design.  

This information is strictly based on the available knowledge base for the **K6F4008U2E-EF70** by **SAMSUNG**.