256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM The part **K6F2008T2E-YF55** is a **2M x 8-bit (16Mbit) CMOS NAND Flash Memory** manufactured by **SAMSUNG**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16Mbit (2M x 8-bit)  
- **Organization:** 2048K words x 8 bits  
- **Supply Voltage:** 2.7V ~ 3.6V  
- **Access Time:** 55ns (max)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Asynchronous NAND Flash  

### **Descriptions:**
- **Memory Type:** Non-volatile NAND Flash  
- **Architecture:** Page-based access (typical for NAND Flash)  
- **Reliability:** High endurance and data retention  
- **Applications:** Used in embedded systems, consumer electronics, and industrial applications requiring low-power, high-density storage.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered devices.  
- **Fast Read/Write Performance:** Supports high-speed data access.  
- **Asynchronous Operation:** No clock signal required.  
- **Hardware Data Protection:** Includes write-protect functionality.  
- **Compatibility:** Designed for systems requiring small-footprint, high-density storage.  

This part is **obsolete/discontinued** by Samsung, so availability may be limited.  

(Source: Samsung datasheets and product documentation.)