1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM The K6F1616U6A-EF55 is a memory chip manufactured by Samsung. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6F1616U6A-EF55  
- **Type:** SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Density:** 16Mbit (1M x 16)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed:** 55ns (Access Time)  
- **Package:** TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- A high-speed CMOS static RAM designed for applications requiring fast data access.  
- Low power consumption in both active and standby modes.  
- Fully static operation, no refresh cycles required.  
- Compatible with TTL levels for input/output.  

### **Features:**  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Fast Access Time:** 55ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: ~25mA (typical)  
  - Standby Current: ~5µA (typical)  
- **Three-State Outputs**  
- **Automotive-Grade Options Available** (if applicable)  

This information is based on the standard specifications of Samsung's SRAM products. For exact details, refer to the official datasheet.

1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM The part **K6F1616U6A-EF55** is a **16Mbit (1M x 16bit) CMOS Low Power FCRAM (Fast Cycle RAM)** manufactured by **SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1M x 16-bit)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 55ns  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface:** Asynchronous/Synchronous (FCRAM)  
- **Refresh Cycles:** 4K cycles/64ms  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: 10µA (Typical)  
  - Operating current: 35mA (Typical at 1MHz)  
- **Fast Cycle RAM (FCRAM) Technology:**  
  - Combines fast access time with low power consumption  
  - Supports burst mode operation  
- **Asynchronous and Synchronous Operation Modes**  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Fully Static Operation** (No clock or refresh required)  
- **Auto Power-Down Mode** for reduced standby current  
- **Compatible with standard SRAM pinout**  

This part is designed for applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking equipment, telecommunications, and embedded systems.  

(Source: Samsung Electronics datasheet for K6F1616U6A-EF55)