1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM The K6F1616R6C-FF70 is a 16Mbit (1M x 16-bit) CMOS Low Power SRAM manufactured by Samsung. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16Mbit (1M words × 16 bits)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Current:** 35mA (max)  
- **Standby Current:** 10μA (max)  
- **Package:** 44-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- **Type:** Asynchronous CMOS SRAM  
- **Low Power Consumption:** Designed for battery-operated and power-sensitive applications.  
- **High-Speed Operation:** Suitable for systems requiring fast memory access.  
- **Wide Voltage Range:** Operates at 3.3V with tolerance for minor fluctuations.  

### **Features:**
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required.  
- **Tri-State Outputs:** Supports bus-oriented applications.  
- **CMOS Technology:** Ensures low power dissipation.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Easy interfacing with standard logic circuits.  
- **Automatic Power-Down:** Reduces power consumption when chip is not selected.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, networking equipment, and other applications requiring fast, low-power memory.