IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K4X56323PG-7GCA

K4X56323PG-7GCA from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K4X56323PG-7GCA

Manufacturer: SAMSUNG

8M x32 Mobile-DDR SDRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K4X56323PG-7GCA,K4X56323PG7GCA SAMSUNG 1623 In Stock

Description and Introduction

8M x32 Mobile-DDR SDRAM The part **K4X56323PG-7GCA** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K4X56323PG-7GCA  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 7ns (143MHz)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports clock frequencies up to 143MHz.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 2.5V, reducing power usage.  
- **Burst Mode Support:** Features sequential and interleaved burst modes.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes built-in refresh mechanisms.  
- **CAS Latency:** Programmable CAS latency (2 or 3).  
- **Double Data Rate (DDR):** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with industry-standard DDR SDRAM interfaces.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

8M x32 Mobile-DDR SDRAM # Technical Documentation: K4X56323PG7GCA DDR SDRAM

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : 512Mb DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)  
 Organization : 32M words × 16 bits  
 Package : 60-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The K4X56323PG7GCA is a high-performance, low-power DDR SDRAM designed for applications requiring moderate bandwidth and density with strict power budgets. Its primary use cases include:

*    Embedded Systems & Single-Board Computers (SBCs) : Serving as main system memory in industrial controllers, IoT gateways, and embedded computing platforms where a 16-bit data bus is sufficient.
*    Consumer Electronics : Used in set-top boxes, digital televisions, printers, and mid-range networking equipment (routers, switches) for data buffering and program execution.
*    Automotive Infotainment & Telematics : Suitable for non-safety-critical displays and processing units, provided operating temperature ranges are validated.
*    Legacy System Upgrades & Repairs : A direct component replacement in systems originally designed for 512Mb DDR1 memory.

### Industry Applications
*    Industrial Automation : PLCs (Programmable Logic Controllers) and HMI (Human-Machine Interface) panels benefit from its reliability and deterministic access latency.
*    Telecommunications : Found in legacy baseband units and network interface cards for temporary data storage.
*    Medical Devices : Used in diagnostic and monitoring equipment with moderate processing needs, such as portable ultrasound or patient monitors.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    Cost-Effectiveness : DDR1 technology offers a lower total system cost compared to DDR2/3/4 for applications that do not require extreme bandwidth.
*    Proven Reliability : Mature technology with well-understood failure modes and long-term availability from secondary sources.
*    Lower Power Consumption : Compared to subsequent DDR generations at similar densities, it typically operates at a higher core voltage (2.5V) but has simpler I/O circuitry, which can result in lower active power in certain access patterns.
*    Simpler Interface : Requires fewer control signals and less complex initialization sequences than newer DDR standards, simplifying controller design.

 Limitations: 
*    Bandwidth Constraint : Maximum data rate (e.g., 400Mbps for DDR-400) is significantly lower than modern standards (DDR4/5), making it unsuitable for high-performance computing.
*    Density Limitation : Maximum available density per device is limited. Systems requiring >1GB RAM would need multiple devices, increasing board space and complexity.
*    Voltage Compatibility : Operates at 2.5V (VDD) and 2.5V/1.25V (SSTL_2 I/O). Direct interfacing with modern processors (which use 1.8V, 1.35V, or 1.2V I/O) requires level shifters or dedicated legacy memory controllers.
*    Availability : This is an End-of-Life (EOL) or legacy part from Samsung. Sourcing may be limited to distributors specializing in obsolete components, posing a supply chain risk for new designs.

---

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
1.   Improper Power Sequencing :
    *    Pitfall : Applying I/O voltage (VDDQ) before core voltage (VDD) can latch the I/O buffers in an undefined state, causing excessive current draw or damage.
    *    Solution : Follow the manufacturer's recommended sequence: VDD → VDDQ → VREF. Implement a power management IC (

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips