IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K4T51083QB-ZCCC

K4T51083QB-ZCCC from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K4T51083QB-ZCCC

Manufacturer: SAMSUNG, SAM

512Mb B-die DDR2 SDRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K4T51083QB-ZCCC,K4T51083QBZCCC SAMSUNG, SAM 59 In Stock

Description and Introduction

512Mb B-die DDR2 SDRAM The part **K4T51083QB-ZCCC** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4T51083QB-ZCCC  
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed:** 800Mbps (PC2-6400)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Performance:** Supports data transfer rates up to 800Mbps.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V, reducing power usage.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity by reducing reflections.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports CL3, CL4, and CL5.  
- **Burst Length:** Supports 4 and 8 burst operations.  
- **Auto Precharge & Self-Refresh:** Enhances power efficiency.  
- **FBGA Packaging:** Compact and suitable for high-density applications.  

This memory chip is commonly used in computing and embedded systems requiring DDR2 memory solutions.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications as variants may exist.)

Application Scenarios & Design Considerations

512Mb B-die DDR2 SDRAM# Technical Documentation: K4T51083QBZCCC DDR2 SDRAM

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K4T51083QBZCCC is a 512Mb (64Mx8) DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory) component primarily designed for applications requiring moderate-speed, high-density memory with balanced power consumption. Its architecture makes it suitable for:

*    Main System Memory : Serving as the primary working memory in embedded computing systems, industrial PCs, and legacy server platforms where DDR2 interfaces are still prevalent.
*    Data Buffering/Caching : Acting as a high-speed buffer in networking equipment (routers, switches), telecommunications infrastructure, and digital signal processing (DSP) systems to temporarily hold data packets or intermediate calculation results.
*    Graphics/Display Memory : Used in entry-level or industrial-grade graphics controllers, digital signage, and medical imaging displays where extreme bandwidth is not critical, but reliability and cost-effectiveness are.
*    Storage Controller Cache : Implementing cache memory in RAID controllers, NAS (Network Attached Storage) devices, and enterprise storage systems to accelerate read/write operations.

### 1.2 Industry Applications
*    Industrial Automation & Control : PLCs (Programmable Logic Controllers), HMIs (Human-Machine Interfaces), and industrial IoT gateways benefit from its extended temperature range support and reliability in harsh environments.
*    Telecommunications : Found in base station controllers, multiplexers, and legacy communication switches requiring stable, sustained data throughput.
*    Medical Electronics : Used in patient monitoring systems, diagnostic ultrasound machines, and other medical devices where consistent performance and long-term availability of components are crucial.
*    Legacy Computing & Servicing : Critical for maintaining and servicing older-generation servers, workstations, and specialized test/measurement equipment designed around the DDR2 ecosystem.
*    Consumer Electronics (Legacy/Industrial) : Certain high-end printers, digital copiers, and professional audio/video editing equipment from the DDR2 era.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Cost-Effectiveness : Generally lower cost per bit compared to DDR3/DDR4 for applications that do not require the latest bandwidth.
*    Mature Ecosystem : Well-understood technology with extensive design resources, proven reliability, and stable long-term supply chains for industrial segments.
*    Moderate Power & Performance Balance : Offers a better performance-to-power ratio than DDR1, with operating voltages (1.8V) lower than its predecessor.
*    On-Die Termination (ODT) : Integrated ODT simplifies PCB design by improving signal integrity and reducing the need for external termination resistors on the data bus.
*    Posted CAS & Additive Latency : Features that help improve command bus efficiency by reducing conflicts between read/write commands.

 Limitations: 
*    Obsolete Interface : Not suitable for new high-performance designs. Maximum data rates (up to 800 Mbps/pin for this part) are significantly lower than DDR4/5.
*    Higher Power Consumption : Compared to DDR3 (1.5V) and DDR4 (1.2V), the 1.8V core voltage results in higher dynamic and static power dissipation.
*    Density Limitations : Maximum available densities are lower than modern standards, limiting total system memory capacity without using a large number of devices.
*    Availability : While still in production for industrial markets, it is on a declining lifecycle path, with potential future sourcing challenges.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Improper Power Sequencing.  Applying the I/O voltage (`VDDQ`) before the core voltage (`VDD`) can latch the device into an

Alternative Part Number

  • MT47H64M16HR-25E --: DDR2 SDRAM 1Gb (64M x16) in the same FBGA package class, widely used as a drop-in replacement for Samsung DDR2 parts with comparable speed grade.
  • W9751G6KB-25 --: 1Gb DDR2 SDRAM organized as 64M x16, pin-compatible with the K4T51083QB family and available in the same industrial temperature range.
  • IS43DR16640B-25DBL --: 1Gb DDR2 SDRAM 64M x16 device with matching voltage and speed, offered as a second-source alternative to Samsung DDR2 components.
  • HY5PS1G1631CFP-Y5 --: DDR2 SDRAM from a major memory vendor with similar density and organization; commonly used as a second-source replacement for Samsung DDR2 parts.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips