512Mb B-die DDR2 SDRAM The part **K4T51083QB-ZCCC** is a memory component manufactured by **Samsung (SAM)**. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Samsung (SAM)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mb  
- **Organization:** 64M x 8  
- **Speed:** 800MHz (PC2-6400)  
- **Voltage:** 1.8V  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C), depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient applications.  
- **High Performance:** Supports high-speed data transfer rates up to 800Mbps.  
- **On-Die Termination (ODT):** Enhances signal integrity.  
- **CAS Latency (CL):** Typically 5 or 6 cycles.  
- **Double Data Rate (DDR):** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This memory chip is commonly used in **servers, networking equipment, and embedded systems**.  

(Note: Always verify exact specifications with the latest datasheet from Samsung, as details may vary by revision.)

512Mb B-die DDR2 SDRAM The part **K4T51083QB-ZCCC** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4T51083QB-ZCCC  
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed:** 800Mbps (PC2-6400)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Performance:** Supports data transfer rates up to 800Mbps.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V, reducing power usage.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity by reducing reflections.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports CL3, CL4, and CL5.  
- **Burst Length:** Supports 4 and 8 burst operations.  
- **Auto Precharge & Self-Refresh:** Enhances power efficiency.  
- **FBGA Packaging:** Compact and suitable for high-density applications.  

This memory chip is commonly used in computing and embedded systems requiring DDR2 memory solutions.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications as variants may exist.)