1Gb F-die DDR2 SDRAM The **K4T1G084QF-BCE7** is a DDR2 SDRAM memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (128 Meg x 8-bit)  
- **Speed:** 800 Mbps (PC2-6400)  
- **Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh:** 8K refresh cycles (64ms)  
- **Burst Length:** 4 or 8 (programmable)  
- **CAS Latency (CL):** 4, 5, or 6 (programmable)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-speed, low-power applications.  
- Supports **ODT (On-Die Termination)** for improved signal integrity.  
- Features **Posted CAS** and **Additive Latency** for better performance.  
- Compliant with **JEDEC DDR2 standards**.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** 1.8V operation reduces power usage.  
- **High Performance:** 800Mbps data rate for fast operation.  
- **FBGA Package:** Compact and suitable for space-constrained designs.  
- **On-Die Termination (ODT):** Enhances signal quality by reducing reflections.  
- **Programmable Burst Length & CAS Latency:** Offers flexibility in system configuration.  

This chip is commonly used in **computing, networking, and embedded systems** requiring DDR2 memory.  

*(Note: Always refer to the official Samsung datasheet for precise technical details.)*