1Gb F-die DDR2 SDRAM The **K4T1G084QF-BCE6** is a DDR2 SDRAM memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its key specifications and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 1Gb (128M x 8)  
- **Organization:** 128M words × 8 bits  
- **Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed:** 800 Mbps (PC2-6400)  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C)  
- **Refresh Cycle:** 64ms  
- **Burst Length:** 4 or 8 (programmable)  
- **CAS Latency (CL):** 3, 4, 5, 6 (programmable)  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V for reduced power usage.  
- **Double Data Rate (DDR2):** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity by reducing reflections.  
- **4-Bank Architecture:** Enhances memory access efficiency.  
- **Auto Precharge & Self-Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This chip is commonly used in **computing, networking, and embedded systems** requiring high-speed DDR2 memory.