IC Phoenix logo

Home ›  K  › K2 > K4T1G084QE-HCLE6

K4T1G084QE-HCLE6 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K4T1G084QE-HCLE6

Manufacturer: SAMSUNG

1Gb E-die DDR2 SDRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K4T1G084QE-HCLE6,K4T1G084QEHCLE6 SAMSUNG 23 In Stock

Description and Introduction

1Gb E-die DDR2 SDRAM The **K4T1G084QE-HCLE6** is a DDR2 SDRAM memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (128 Meg x 8-bit)  
- **Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed:** 800 Mbps (PC2-6400)  
- **Package:** 60FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh Cycle:** 64ms / 8192 cycles  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V, reducing power usage compared to older DDR standards.  
- **High-Speed Data Transfer:** Supports up to 800Mbps data rate for efficient performance.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity by reducing reflections on the data bus.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports CL 3, 4, and 5 for flexible timing configurations.  
- **Burst Length:** Supports 4 and 8 burst modes for sequential data access.  
- **Auto Precharge & Self-Refresh:** Enhances power efficiency and memory management.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards for hazardous substance restrictions.  

This chip is commonly used in **consumer electronics, networking equipment, and embedded systems** requiring high-speed DDR2 memory.  

Would you like any additional details?

Application Scenarios & Design Considerations

1Gb E-die DDR2 SDRAM # Technical Documentation: K4T1G084QE-HCLE6 DDR2 SDRAM

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K4T1G084QE-HCLE6 is a 1Gb (128M × 8-bit) DDR2 SDRAM organized as 8 banks, designed for high-performance memory applications requiring moderate power consumption and reliable operation. Key use cases include:

-  Embedded Computing Systems : Industrial PCs, single-board computers, and embedded controllers requiring stable memory operation in extended temperature ranges
-  Networking Equipment : Routers, switches, and firewalls where consistent memory performance supports packet buffering and routing tables
-  Digital Signage & Displays : Video buffer applications in commercial displays and digital signage systems
-  Test & Measurement Instruments : Data acquisition systems and oscilloscopes requiring predictable memory access patterns
-  Automotive Infotainment : Secondary memory in automotive head units and display systems (non-safety critical applications)

### 1.2 Industry Applications
-  Industrial Automation : PLCs, HMIs, and control systems operating in harsh environments (-40°C to +95°C)
-  Telecommunications : Base station equipment and network infrastructure components
-  Medical Devices : Diagnostic equipment and monitoring systems requiring reliable data storage
-  Consumer Electronics : Set-top boxes, printers, and mid-range computing devices
-  Aerospace & Defense : Ground support equipment and non-critical avionics systems

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Extended Temperature Range : Operates reliably from -40°C to +95°C, suitable for industrial applications
-  Moderate Speed : 400MHz (800Mbps/pin) provides adequate bandwidth for many embedded applications
-  Low Power : 1.8V operation reduces overall system power consumption compared to older DDR technologies
-  High Density : 1Gb capacity in compact packaging (78-ball FBGA) enables space-constrained designs
-  Proven Technology : Mature DDR2 architecture with well-understood timing characteristics

 Limitations: 
-  Performance : Limited to DDR2 speeds (max 400MHz), unsuitable for high-performance computing
-  Availability : DDR2 is a legacy technology with potential supply chain challenges
-  Power Efficiency : Less efficient than DDR3/DDR4/LPDDR alternatives for battery-powered applications
-  Scalability : Not suitable for systems requiring memory expansion beyond DDR2 capabilities

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Improper Termination 
-  Issue : Signal integrity degradation due to improper termination of DDR2 signals
-  Solution : Implement SSTL_18 termination with VTT = VDDQ/2 (0.9V). Use precision resistors (±1%) for termination networks

 Pitfall 2: Clock Signal Integrity 
-  Issue : Jitter and skew in differential clock pairs affecting timing margins
-  Solution : 
  - Maintain differential pair routing with controlled impedance (100Ω differential)
  - Keep clock traces equal length (±5 mil tolerance)
  - Route clocks first, away from noisy signals

 Pitfall 3: Power Supply Noise 
-  Issue : VDD and VDDQ noise causing memory errors
-  Solution :
  - Implement separate power planes for VDD (1.8V ±0.1V) and VDDQ
  - Use multiple decoupling capacitors: 10μF bulk + 0.1μF ceramic per power pin
  - Place decoupling capacitors within 100 mil of power pins

 Pitfall 4: Thermal Management 
-  Issue : Overheating in high-temperature environments
-  Solution :
  - Ensure adequate airflow (minimum 1

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips