1Gb E-die DDR2 SDRAM The **K4T1G084QE-HCLE6** is a DDR2 SDRAM memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (128 Meg x 8-bit)  
- **Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed:** 800 Mbps (PC2-6400)  
- **Package:** 60FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh Cycle:** 64ms / 8192 cycles  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V, reducing power usage compared to older DDR standards.  
- **High-Speed Data Transfer:** Supports up to 800Mbps data rate for efficient performance.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity by reducing reflections on the data bus.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports CL 3, 4, and 5 for flexible timing configurations.  
- **Burst Length:** Supports 4 and 8 burst modes for sequential data access.  
- **Auto Precharge & Self-Refresh:** Enhances power efficiency and memory management.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards for hazardous substance restrictions.  

This chip is commonly used in **consumer electronics, networking equipment, and embedded systems** requiring high-speed DDR2 memory.  

Would you like any additional details?