1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification The **K4T1G084QA-ZCE6** is a DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random-Access Memory) chip manufactured by **Samsung**. Below are its key specifications and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (128 Meg words × 8 bits)  
- **Speed Grade:** **-ZCE6** (operating frequency and timing depend on this suffix)  
- **Voltage:** **1.8V** (standard DDR2 operating voltage)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Data Rate:** DDR2-800 (400 MHz clock frequency, 800 MT/s transfer rate)  
- **Burst Length:** 4 or 8 (programmable)  
- **CAS Latency (CL):** Typically 5, 6 (depends on speed bin)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 95°C) (varies by model)  

### **Features:**
- **Differential Clock Inputs (CK, /CK)** for improved signal integrity.  
- **4-bit Prefetch Architecture** for high-speed data transfer.  
- **On-Die Termination (ODT)** to reduce signal reflections.  
- **Auto Refresh & Self Refresh** modes for power efficiency.  
- **Programmable CAS Latency (CL), Additive Latency (AL), and Write Latency (WL).**  
- **Partial Array Self Refresh (PASR)** for reduced power consumption.  
- **Thermal Sensor (optional, depending on variant).**  

This chip is commonly used in **consumer electronics, networking equipment, and embedded systems** requiring DDR2 memory. For exact timing parameters, refer to Samsung's official datasheet for the **K4T1G084QA-ZCE6**.