2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL3.3V The **K4S643232F-TP60** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
1. **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
2. **Density:** 64Mbit (4M x 16)  
3. **Organization:** 4 Banks x 1M words x 16 bits  
4. **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
5. **Speed:** 6ns (166MHz)  
6. **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
7. **Interface:** LVTTL (Low Voltage TTL)  
8. **Refresh Mode:** Auto-refresh & Self-refresh  
9. **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or Full Page  
10. **CAS Latency:** 2 or 3 (programmable)  

### **Descriptions:**
- The **K4S643232F-TP60** is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports **burst read and write operations** for efficient data transfer.  
- The chip is commonly used in **networking, telecommunications, and embedded systems**.  

### **Features:**
- **Fully Synchronous Operation** with a single 3.3V power supply.  
- **Programmable Burst Length** (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Precharge & Power Down Mode** for reduced power consumption.  
- **4 Internal Banks** for concurrent operations.  
- **Compatible with JEDEC standards** for SDRAM.  
- **On-Die Termination (ODT)** for signal integrity improvement.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.