64Mb H-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free The K4S641632H-TC75 is a memory chip manufactured by Samsung. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4S641632H-TC75  
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mbit (4M x 16)  
- **Organization:** 4 Banks x 1M x 16  
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh Cycles:** 4096 cycles/64ms  

### **Descriptions:**  
- The K4S641632H-TC75 is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high-performance memory.  
- It supports auto refresh and self refresh modes.  
- Features programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- Includes a sequential or interleaved burst mode.  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Auto Precharge:** Supports auto precharge for efficient memory management.  
- **CAS Latency Options:** Programmable CAS latency (2 or 3).  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard 3.3V systems.  
- **Burst Read/Write:** Supports burst mode for faster data access.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

64Mb H-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free The **K4S641632H-TC75** is a memory chip manufactured by **Samsung**. Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mbit (4M x 16)  
- **Organization:** 4 Banks x 1M words x 16 bits  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Refresh:** 4096 cycles (64ms)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-performance applications requiring fast data access.  
- Supports burst read and write operations.  
- Fully synchronous with a single 3.3V power supply.  
- Auto refresh and self-refresh modes available.  

### **Features:**  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 programmable  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **Auto Precharge:** Supported  
- **Power-Down Mode:** Available for reduced power consumption  
- **Industrial-standard pin configuration**  

This chip is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems.

64Mb H-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free The **K4S641632H-TC75** is a **64Mbit (4M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Samsung (SAM)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 64Mbit (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 1M words × 16 bits  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** **TC75** (7.5ns clock cycle, 133MHz operating frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Refresh:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency:** 2 or 3 (programmable)  
- **Interface:** LVTTL  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- Auto refresh and self refresh modes  
- **4 internal banks** for concurrent operation  
- **Auto Precharge** function  
- **Burst Read and Write** operations  
- **Commercial and Industrial** temperature range support  

This SDRAM is commonly used in **PCs, networking devices, embedded systems, and consumer electronics** requiring high-speed memory access.

64Mb H-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free The K4S641632H-TC75 is a 64Mbit (4M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Samsung (SAMEC).  

### **Specifications:**  
- **Density:** 64Mbit (4M words x 16 bits)  
- **Organization:** 4 Banks x 1M words x 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 7.5ns (CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Refresh:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  
- **Interface:** LVTTL  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- Auto refresh and self refresh modes  
- CAS Latency (CL): 2, 3  
- Burst read and burst write operations  
- Byte control for write operations (DQML, DQMH)  
- Internal pipelined architecture for high-speed operation  

This SDRAM is commonly used in networking, computing, and embedded systems requiring moderate-speed memory access.

64Mb H-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free The **K4S641632H-TC75** is a **64Mb (4M x 16-bit) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Samsung**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 64Mb (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 1M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** **-TC75** (7.5ns access time, 133MHz operating frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP II (400mil width)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh & self-refresh (8,192 cycles/64ms)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 cycles  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- Auto precharge and power-down modes  
- Internal pipelined architecture for high-speed data transfer  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAM specifications  

This SDRAM is commonly used in **PCs, networking devices, embedded systems, and consumer electronics** requiring moderate-speed memory.  

Would you like additional details on pin configurations or timing parameters?

64Mb H-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free The part **K4S641632H-TC75** is a memory chip manufactured by **Samsung Electronics (SEC)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mb (4M x 16-bit)  
- **Organization:** 4 banks, 1M words x 16 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports clock frequencies up to 133MHz.  
- **Burst Mode:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes both modes for power efficiency.  
- **CAS Latency (CL):** Supports 2 and 3 cycles.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 3.3V with standby and active power-saving modes.  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with other 16-bit SDRAMs.  

This chip is commonly used in embedded systems, networking equipment, and consumer electronics requiring moderate-speed memory.